Magnachip瞄准电动汽车市场推出采用先进场截止沟槽技术的新型1200V和650V IGBT

Magnachip 半导体公司(“Magnachip”或“公司”)(纽约证券交易所股票代码： MX)今天宣布推出其 1200V 和 650V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)，该晶体管设计为用于电动汽车 (EV) 的正温度系数 (PTC) 加热器。

新推出的 AMBQ40T120RFRTH (1200V) 和 AMBQ40T65PHRTH (650V) 基于 Magnachip 尖端的场截止沟槽技术，可提供 10μs 的最短短路耐受时间。这种卓越的耐用性使 PTC 加热器能够在过流情况下免受永久性故障的影响。

此外，TO-247封装的又厚又大的散热器使这些新型IGBT具有出色的散热性能。因此，这些 IGBT 非常适合需要高功率和高效率的应用，例如 PTC 加热器的电源管理集成电路的上侧和下侧。

Magnachip 首席执行官 YJ Kim 表示：“自去年初以来，Magnachip 就发布了符合严格 AEC-Q101 标准的高性能汽车电源解决方案。” “既然我们已经成功发布了首款用于电动汽车的 IGBT 产品，我们将继续扩大我们的产品阵容，以满足电动汽车市场的多样化需求，并满足我们尊贵客户的需求。”