三极管8050参数？ s8050三极管参数

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一、三极管8050参数？

二、s8050三极管参数

一、三极管8050参数？

8050晶体管是一种非常常见的NPN晶体管，在各种放大电路中经常见到，应用非常广泛，主要用于高频放大。其参数：类型：开关类型；极性：NPN；材料：硅；最大集电极电流(a):0.5a；DC增益：10比60；功耗：625mW；最大集电极-发射极电压(VCEO):25；特征频率：150MHzPE8050硅。

二、s8050三极管参数

s8050三极管基本参数：型号：NPN。集电极耗散功率PC: 0.625 w(贴片：0.3W)。

集电极电流IC: 0.5a。集电极-基极电压Vcbo:40V。集电极-发射极电压：25V。集电极-发射极饱和电压VCE (SAT): 0.6V.特征频率f:最小150MHz。根据三极管的后缀数，补丁分为B C D档和L H档。放大倍数：b85-160 c120-200 d160-300 l100-200 h200-350。引脚排列顺序：e，b，c或e，c，b。

S8050是一种低功耗NPN硅管，最大集电极-基极(Vcbo)电压为40V，集电极电流(Ic)为0.5A，S8050是电路硬件设计中最常用的半导体晶体管型号之一。扩展数据理论的原理：

对于NPN管，它由两个N型半导体组成，中间夹着一个P型半导体。发射极和基极之间形成的PN结称为发射极结，集电极和基极之间形成的PN结称为集电极结。这三条引线分别称为发射极e(发射极)、基极b(基极)和集电极c(集电极)。当B点的电位比E点的电位高几伏时，发射极结处于正向偏置状态，而当C点的电位比B点的电位高几伏时，集电极电源Ec高于基极电源Eb。

由于基区薄和集电极结的反向偏置，注入基区的大部分电子越过集电极结进入集电极区形成集电极电流Ic，只有少数(1-10%)电子在基区空穴中复合，基区复合的空穴由基区电源Eb补充，形成基区电流Ibo。

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