Kulicke&Soffa与加州大学洛杉矶分校合作

Kulicke & Soffa Industries, Inc. (纳斯达克股票代码： KLIC)(“Kulicke & Soffa”、“K&S”、“我们”或“公司”)宣布扩大与 The Company 的合作加州大学洛杉矶分校异构集成和性能扩展中心 (UCLA CHIPS) 致力于提供当今人工智能 (AI)、高性能计算 (HPC) 和数据中心应用所需的经济高效的高级解决方案。随着对尖端封装技术的需求进入更高容量的市场，产量、吞吐量和生产率变得越来越重要。

K&S 于 2016 年作为特许会员加入 UCLA CHIPS，开发超细间距微凸块互连解决方案。不久之后，30μm 微凸块间距的热压接合 (TCB) 变得可行。通过利用甲酸处理，K&S 在 TCB 中展示了 10μm 间距的能力。随着异构小芯片封装机会扩展到更高容量的市场，K&S 的创新加强了与主要商业客户的开发合作，能够实现这一广泛而长期的行业转型。

Kulicke & Soffa 的创新无助焊剂工艺消除了污染问题，同时通过集成交付平台确保互连完整性。该公司的高精度、经过生产验证的 TCB 产品组合能够支持当今市场上大多数基于中介层的 3D 异构集成应用。K&S 和加州大学洛杉矶分校正在进行的合作旨在进一步开发可制造的铜对铜解决方案，其间距小于 5μm。这种 TCB 方法的优点是它独立于介电特性，并且满足军用规格剪切力、温度循环和湿气进入标准。

“强大的先进封装解决方案对于克服众所周知的节点缩小挑战和扩展封装级晶体管密度至关重要。我们不断突破技术界限，提供高精度、高吞吐量和高良率的解决方案，这将加速Kulicke & Soffa 高级副总裁兼首席技术官 Bob Chylak表示：“随着更广泛的行业向异构集成的过渡，我们期待在继续扩大先进封装解决方案的同时，保持我们的领先地位和技术进步。”

由于设计成本不断上升以及成熟的单片工艺带来的良率挑战，人工智能、高性能计算和数据中心处理器正在转向中介层和 3D 异构方法。市场研究与战略咨询公司 Yole Group 表示，2.5D 和 3D 封装数量预计将以 15% 左右的复合年增长率增长，到 2028 年将达到超过 100 亿颗。

除了异构过渡之外，TCB 也是一项普遍技术，并且已用于越来越多的半导体器件中，例如应用处理器、硅光子学 (SiPh)、CMOS 图像传感器、高带宽存储器 (HBM)、处理器-存储器集成、以及逻辑存储器集成，为 K&S 微凸块互连解决方案提供了许多长期机会。通过与行业领先的无晶圆厂、代工厂、IDM 和 OSAT 客户的密切合作，K&S 提供先进的封装解决方案，直接支持这一重大的行业转型。

“在过去的七年里，推动这个非常强大的流程的创新是一段伟大的旅程，”位于加州大学洛杉矶分校 Samueli 工程学院的 UCLA CHIPS 教授兼主任Subramanian S. Iyer说道。“虽然现有的 TCB 技术已经超出了今天的用途，但我们很高兴能够进一步扩大与 K&S 的合作，并实现间距低于 5μm 的下一个里程碑。我们期待通过先进封装扩展性能来实现未来几代设备。”

K&S 产品和解决方案执行副总裁Chan Pin Chong表示：“随着半导体行业积极追求更复杂的组装和封装方法，TCB 仍然是细间距和铜对铜互连工艺的领先微凸块解决方案. 如今大多数大批量应用均采用 35μm 间距，我们展示的 10μm 无助焊剂 TCB 能力能够很好地支持未来异构应用的新兴需求。通过我们与 UCLA 的合作和持续开发努力，我们对 K&S micro充满信心-bump互连解决方案将提供卓越的价值来支持快速发展的行业。”