三星GalaxyS23系列智能手机配备比之前传闻更快的内存

昨天泄露了三星GalaxyS23系列的预购信息、定价，甚至规格表。不过，泄露的规格表中似乎有一个细节可能不准确，小道消息表明事情的真实性是一个重要的积极因素。

在过去的24小时内，有关即将推出的三星GalaxyS23系列的更多详细信息被披露，包括预购优惠信息、欧洲定价，甚至规格表。然而，泄露的规格表中的细节似乎并不准确——新信息现在暗示了一个主要差异。

虽然泄露的GalaxyS23系列规格表声称这些手机将配备LPDDR5RAM，但小道消息似乎表明并非如此。据泄密者IceUniverse称，GalaxyS23系列将改用LPDDR5XRAM。GalaxyS22系列去年推出了LPDDR5RAM，升级到LPDDR5X有望将内存速度提高1.3倍，同时功耗降低20%。

除了内存升级，三星GalaxyS23系列还将提供改进的存储。S22系列配备了UFS3.1存储，但其后续产品将于2月1日推出UFS4.0存储。后者有望将读写速度提高100%，同时效率提高46%。所有这些，以及强大的Snapdragon8Gen2都暗示着三星即将推出的旗舰产品的性能至上。