rom和ram的区别和作用分别是什么，详解ROM和RAM的区别与相关知识点

很多朋友对rom和ram的区别和作用分别是什么，详解ROM和RAM的区别与相关知识点不是很了解，每日小编刚好整理了这方面的知识，今天就来带大家一探究竟。

内存是计算系统中最重要的元素，因为没有它，计算机无法执行简单的任务。计算机内存有两种基本类型——主内存(RAM和ROM)和辅助内存(硬盘、光盘等)。).随机存取存储器(RAM)是主要的易失性存储器，只读存储器(ROM)是主要的非易失性存储器。相信很多朋友会混淆手机的运行内存和数据存储。

在智能手机普及之前，手机中有一种可移动存储设备，名字叫‘TF’卡，当时也叫存储卡。TF卡是用手机存储数据，而不是手机的运行内存，这也导致很多人认为手机内存就是手机的内部存储空间，尤其是很多无良商家用它来迷惑人，更有甚者用bit代替Byte，于是4GB 512MB的存储组合就变成了4Gbit，无良厂商在低端机上宣传为“32G 4G超级内存”。

接下来，我们来多了解一下ROM和RAM。

1只读存储器：ROMROM:只读存储器，非易失性。它是一种固态半导体存储器，只能读取预先存储的数据。一般在加载到整机之前就已经提前写好了，只有在整机工作过程中才能读出，而不是像随机存取存储器那样快速方便的重写。ROM中存储的数据是稳定的，断电后不会改变。

电脑中的ROM主要用来存储一些系统信息或者启动BIOS程序，这一点非常重要。只能读取，一般不能修改，断电后也不会消失。

计算机存储器上的数据已经预先录制好了。数据一旦写入ROM芯片，就不能删除，只能读取。与主存储器(RAM)不同，ROM即使在计算机关闭时也能保留其内容。ROM叫非易失性，现在有很多非易失性存储器。由于历史原因，虽然ROM中的某些类型是可读写的，但整体上被称为只读存储器。

rom的区别在于它们可以被重新编程(写入)的次数和用来重新编程的机制。

当然现在ROM不仅仅是只读，时代在发展，ROM也叫ROM。

至于为什么叫ROM，以单片机为例，我们把事先准备好的固件烧到Flash里。如果我们不重写固件，我们就不能修改它。无论用户如何重启和使用，都不会影响固件。换句话说，固件是不可写的，所以叫做“只读存储器”。手机也是如此。内存中有一部分空间用于存储系统软件。无论怎么用都不会把系统软件磨坏。

这部分也可以理解为“只读存储器”。

在实际使用中，内置存储和Flash会分为两部分，一部分可写，一部分不可写。能写的地方用来存放通讯录、照片、音乐、app之类的，不能写的地方用来存放操作系统软件。手机的ROM从最早的NOR Flash发展到NAND Flash，现在几乎所有的智能手机都是eMMC(跟TF卡是一个东西)。单片机的Flash仍然维持在小容量的NOR Flash。

为了便于使用和批量生产，可编程只读存储器(PROM)和可擦除可编程只读存储器(EPROM)得到了进一步的发展。EPROM需要长时间的紫外线照射才能擦除，使用不便。80年代EEPROM再次出现，克服了EPROM的缺点，但集成度不高，价格昂贵。于是，一种具有类似于EPROM的存储单元结构的新型闪存被开发出来。

闪存因其集成度高、功耗低、体积小、在线擦除速度快而发展迅速。

所以ROM又进一步分为四种：PROM，EPROM，EEPROM，Flash。PROM(可编程ROM):可编程ROM，只能编程一次。EPROM(可擦除可编程只读存储器):可擦除可编程只读存储器，最多可擦除1000次。

EPROM(电可擦除可编程只读存储器):指电可擦除可编程只读存储器。它是一种断电后不会丢失数据的内存芯片。EEPROM可以擦除现有信息，并在计算机或特殊设备上重新编程。一般用于即插即用。

Flash memmory:基于EEPROM，也就是我们常说的Flash。它已经成为一种重要的存储技术。固态硬盘(SSD)、u盘等。是一种基于闪存的存储器。它结合了ROM和RAM的优点。既有EEPROM的性能，又能快速读取数据而不掉电(NVRAM的优势)。这种内存用在u盘和MP3里。

在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。它于EEPROM的最大区别是，FLASH按扇区（block）操作，而EEPROM按照字节操作。

FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因此适合用于做程序存储器。

目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。

NOR Flash：NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

NADN Falsh：NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

一般小容量的存储用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的“闪盘”，可以在线擦除。目前市面上的FLASH主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。

2随机访问存储器：RAMRAM：随机访问存储器(Random Access Memory)，易失性。它是与CPU直接交换数据的内部存储器，它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介，凡是整个程序运行过程中，所用到的需要被改写的量（包括全局变量、局部变量、堆栈段等），都存储在RAM中。

当电源关闭时RAM不能保留数据。如果需要保存数据，就必须把它们写入一个长期的存储设备中（例如硬盘）。

RAM的随机储存器的“随机”是什么意思呢？现在的ROM，也能够“随机储存”，但是计算机刚发明的时候，是用纸带、磁带来当作ROM运用的，纸带和磁带绕成一卷，只能顺序读写，不是随机读写，不能想读哪里读哪里。因此才有了RAM的“随机储存”一说。

随机访问存储器分为两类：静态的和动态的。静态的RAM（SRAM）比动态RAM（DRAM）更快，但也贵很多。SRAM用来作为高速缓存存储器，既可以在CPU芯片上，也可以在片下。DRAM用来作为图形系统的帧缓冲区。

SRAM：SRAM存储器单元具有双稳态特性，只要有电，它就会永远的保持它的值（有点类似ROM易失性）。即使有干扰来扰乱电压，当干扰消除时，电路就会恢复到稳定值。它是为了增加内存的存取效能、提高CPU处理数据的效率而产生的。

由于RAM的速度赶不上CPU的速度，为了解决这一冲突，利用Cache作为介质，先将有关程序的内容放入Cache中，CPU可以直接从Cache中读取数据，从而达到提高CPU的工作速度的目的。处理器的内部都包括高速缓冲存储器，一些主板也带有高速缓冲存储器。

SDRAM：即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。

SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度，比如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。与系统总线速度同步，也就是与系统时钟同步，这样就避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。

同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用，因此数据可在脉冲上升期便开始传输。SDRAM采用3.3伏工作电压，168Pin的DIMM接口，带宽为64位。SDRAM不仅应用在内存上，在显存上也较为常见。

DDR SDRAM：双倍数据速率同步DRAM（Double Data-Rate Synchronous DRAM）。也就是我们常说的DDR内存。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。

与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。

DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。

从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。

RAM断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。现在手机中的RAM一般是由LPDDR担当，尤其是速度快功耗低的LPDDR4X在市面上的旗舰手机中占比较大。

RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM不会自动消失，可以长时间断电保存。在应用中，常规上ROM是用来存储固化程序的，RAM是用来存放数据的。由于FLASH ROM比普通的ROM读写速度快，擦写方便，一般用来存储用户程序和需要永久保存的数据。

最后还是来总结下吧。

图像小部件

以上知识分享希望能够帮助到大家！