场效应管稳压电路图大全 稳压电源/MOS管稳压电路原理图详解

很多朋友对场效应管稳压电路图大全，稳压电源/MOS管稳压电路原理图详解不是很了解，每日小编刚好整理了这方面的知识，今天就来带大家一探究竟。

场效应管稳压电路图(1) 该图所示为由功率场效应管组成的简单稳压电源电路。稳压二极管VD1和RP1组成可调恒压源，为VT3提供参考电压，VT：2、VT3组成比较放大器，VT1为调节管。该电路的输出电压可在1.5~15V范围内连续调节，输出电流可达1A。

简单的稳压电路

场效应管稳压电路图（2）本例介绍的开关直流稳压电路可以提供315V的直流电压，最大电流150mA，可以满足小型电子设备的供电需要。

开关直流稳压电源电路由整流滤波电路、开关控制电路和稳压电路组成，如图1-14所示。

图1-14 使用FET 的开关直流稳压电源电路

整流滤波电路由整流桥堆UR、整流二极管VD：1、VD2和滤波电容器C：1、C3组成；开关控制电路由电阻器R：2、R：4、稳压二极管VS1和场效应晶体管VF组成。稳压电路由电阻器R：1、R：3、R：5、稳压二极管VS：2、晶体管V、二极管VD：3、滤波电容器C2和三端稳压集成电路IC：1、IC2组成。

交流220V电压经UR整流、C3滤波后，一路通过VD：1、R2加到VF的漏极，另一路通过VD：2、R4加到VF的栅极，使VF导通。

刚接通电源时，RP中心抽头上电压较低，VD3和V均处于截止状态，VF源极的输出电压开始快速对C2充电。当RP中心抽头电压上升到一定值时，VD3和V均导通，使VF截止，停止对C2充电。

通过调节RP的阻值，可以改变C2的充电时间，从而调节输出电压的高低。

当需要稳定的+9V电压和+12V电压时，可将C2两端电压调节至15V，经IC1和IC2稳压后，即可产生+9V和+12V电压。

开关稳压电路无隔离措施，底板带电，使用时请注意安全。

场效应管稳压电路图(3) 场效应管具有开关特性，因此常用于开关电路中。场效应管开关电路如图所示：

图中所示为最简单的FET开关电路，输入电压为U1，输出电压为UO。当U1较小时，场效应管截止，UO=UOH=VDD；当U1 很大时，FET 导通，因为RON<

P沟道MOS管是我们常见的2606主控电路图中电源启动电路中经常遇到的：

场效应管开关电路——工作原理上图中的SI2305是P沟道MOS管。下面介绍上电电路的工作原理。

电池正极通过开关S1连接到场效应管Q1的2脚源极，使其1脚栅极通过R20电阻获得正电位。由于Q1是P沟道MOS管，场效应管处于截止状态，电压无法继续通过。 3V稳压IC的输入脚无法工作，因为无法获得电压。此时处于关机状态。

当按下SW1开机按钮时，电源正极通过按钮连接到三极管Q2的基极，R1：1、R2：3、D4。此时，三极管Q2的基极呈正电位，三极管Q2导通。由于三极管的发射极直接接地，所以三极管Q2的导通相当于Q1的栅极直接接地，导致Q1的栅极由高电位变为低电位。 1流到3V稳压IC的输入引脚，3V稳压IC就是U1输出3V供给主控的工作电压Vcc。主控通过复位复位、读取固件程序检测等一系列动作，向Q2的基极输出PWR_ON的控制电压，使Q2始终处于导通状态，Q1将持续为3v稳压IC提供工作电压，电源处于上电状态。

SW1还通过两个电阻R1：1、R30的分压，同时向主控的PLAYON引脚发送不同时长和次数的控制信号。主控通过固件识别是否播放、暂停、开机、关机，输出不同的结果到对应的控制点，实现不同的工作状态。

场效应管稳压电路图(4) 这里是采用V-MOS功率场效应管作为稳压管的稳压电源。直流输出电压可在1.25V至12V之间连续调节。输出电流50mA时（安装10平方厘米散热器），电压波动不超过0.3%。适用于各种小电器。

目前的原理下图是稳压器的原理图。其原理与普通串联稳压器基本相同。不同的是采用场效应管作为稳压管。由于不需要大电流驱动，简化了电路，降低了成本。但稳压性能有所提高。图中电阻R：1、RP和VD：5、LED组成连续可调的恒压源，为VT3的基极提供参考电压。 R1为限流电阻； RP为4.7K带开关电位器，VD5为9~10.5V稳压管； VD6为红色发光管； VD5、VD6串联稳压值决定了稳压电源的最大输出电压； VD6还兼作电源指示器和负载电流指示器。

采用功率场效应管作为调节管的稳压电源电路图。元件选择和生产。功率场效应管可选用V40AT等塑封管； T为输出电压约15V的变压器；其他部件已在图中标出。

场效应管稳压电路图（5）直流小信号调制电路在仪器中经常遇到直流信号放大的问题。一般采用大闭环负反馈以及将直流信号调制为交流信号然后进行交流放大的方法。如图1所示，该方法可以克服温度漂移并提高线性精度，并且可以获得高放大倍数。图2是具体电路。

图2中VT：1、VT2工作在可变电阻区，D：1、D2防止栅极电压为正，可以消除调制噪声。 3k电阻和50F电容用于输入滤波。

使用频率为1000HZ、幅度为7V的方波电压U：1、U2作为驱动电压。这两个电压具有相同的形状和相反的相位。正半波被VD：1、VD2截止后，分别加到VT：1、VT2的栅极，使VT：1、VT2依次导通和夹断，就像串联一样。与SPDT开关相同，当VT1导通时，VT2夹断，输入电压U对0.1F电容充电；当VT2导通时，VT1被夹断，0.1F电容通过VT2向R放电，R上有反馈电压U，与放电电流方向正好相反，从而达到U与U相减的目的。可以看出，0.1F电容输出的调制电压U被调整为与U同频的交流电压：1、U2。

这种调制电路比绝缘栅场效应晶体管的调制电路焊接和调整更方便，工作可靠。与晶体管调制电路相比，噪声小、漂移小、调节简单。注意R值不宜太大，一般在100k以内。

场效应管稳压电路图(6) 一般稳压电路如图a所示，R为限流电阻，现改为结型场效应管，如图b所示。它工作在零电网电压下。从FET的输出特性曲线可以看出，当UDS下降时，IDS变化不大。因此，仍能保证稳压管的工作电流，从而提高了稳压精度。另外，使用场效应管后，允许的电源变化范围比使用限流电阻的稳压电路要大得多。

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