mos管的结构和工作原理，MOS管的概念、结构及原理

很多朋友对mos管的结构和工作原理，MOS管的概念、结构及原理不是很了解，每日小编刚好整理了这方面的知识，今天就来带大家一探究竟。

1、什么是MOS管？MOS管通常也称为MOSFET。MOSFET的全称是金属氧化物半导体场效应晶体管，即金属氧化物半导体场效应晶体管。MOS可分为两种类型：耗尽型和增强型。1)耗尽型：当Vgs的电压为0时，导电沟道已经存在，当漏源之间有电压时，就会有电流流过。当Vgs增大时，导通能力会增强，当Vgs小于0时，导通能力减弱，继续降低，逐渐关断。目前这种MOS晶体管还没有广泛使用。

2)增强模式：当Vgs=0时，MOS管关断，Vgs逐渐增大。当达到一定值时，MOS晶体管开始导通，通过继续增大来增强导通能力。目前市面上基本都是这种增强型MOS晶体管。以增强型N沟道FET为例介绍FET的原理。2、MOS晶体管结构

如下所示，两个N型半导体嵌入在P型半导体中。N型半导体由引线引出，引线是源极和漏极。源极和漏极连接到衬底。然后再覆盖一层二氧化硅绝缘层，绝缘层上再覆盖一层金属板，金属板用引线引出，就是栅极。栅极被绝缘层隔离，所以MOS管的栅极电流很小，输入阻抗很大。

p型半导体富含空穴，N型半导体富含电子。这两种半导体在接触面上形成一个空间电荷区(耗尽区)，如下图棕色区域所示。从下图可以看出，衬底连接到源极后，在源极和漏极之间形成了PN结，这就是MOS内部的体二极管。3、MOS管沟形成

当我们在栅极和源极之间施加一个电压时，因为源极和衬底相连，所以栅极和衬底之间的电压是Vgs，所以在绝缘层的上下形成一个电场。栅极吸引衬底(P型半导体)内部的电子向上移动，聚集在绝缘层下方，形成导电沟道。当Vgs电压增大时，电场强度增强，聚集在绝缘层下方的电子增多，导电沟道加深，导电性增强。4、漏源电流的形成

在源极和漏极之间形成导电沟道后，在漏极和源极之间施加电压Vds，沟道中的电子开始流动形成电流。当我们保持Vgs不变，逐渐增加漏极电压，即Vds时，漏极电流逐渐线性增加。

注意下图中的沟道左深右浅，这是因为漏极电压导致栅极电场减弱。可以这样理解，电子本来是被栅极吸引来建立栅极电场的，但是沟道右侧的部分电子被正的漏极电压吸引来，削弱了栅极右侧的电场，使右侧沟道变浅。随着漏极电压的增加，漏极的空间电荷区变大，并使栅极电场衰减，右侧的沟道变浅。

以下是2N7002P的特性曲线。以Vgs=3.5V为例。此时MOS晶体管处于红色范围，漏极电流随着Vds的增大而增大。5、预夹断栅电压保持不变，漏极电压继续升高，空间电荷区进一步增大，漏极电压不断削弱右沟道。当右声道刚好“消失”时，发生预夹断，如下图黑色夹点所示。以下是2N7002P的特性曲线。以Vgs=3.5V为例。此时MOS管处于红色区间，漏电流出现拐点，MOS即将饱和。

6、栅极电压不变，漏极电压继续升高。夹点继续向左移动，空间电荷区进一步增大。此时，漏极电流不再随着漏极电压的增加而增加，MOS饱和。注意夹断不代表没有电流。电子也可以越过夹点进入空间电荷区，被空间电荷区的电场加速，最后被漏极吸收。

以下是2N7002P的特性曲线。以Vgs=3.5V为例。此时MOS晶体管处于红色范围，漏极电流不再随着Vds的增加而增加，因此MOS晶体管饱和。

以上知识分享希望能够帮助到大家！