场效应管放大电路分析例题，场效应管放大电路的动态分析

很多朋友对场效应管放大电路分析例题，场效应管放大电路的动态分析不是很了解，每日小编刚好整理了这方面的知识，今天就来带大家一探究竟。

场效应晶体管放大器电路

一、 FET 1的偏置电路和静态分析。独立偏置电路2。分自偏置电路二、 FET放大电路动态分析1。场效应晶体管2的微等效电路。场效应晶体管共源放大器电路分析1。电压放大系数A~u~2。输入电阻R~i~3。输出电阻r。

FET放大器电路的常见配置是共源极和共漏极。

晶体管是电流控制器件，FET是电压控制器件一、 FET的偏置电路及静态分析为了保证FET在有输入信号时始终工作在放大区(恒流区)，和晶体管一样，FET放大电路也要建立一个合适的静态工作点。区别在于FET是压控器件，所以需要合适的栅源电压。根据不同类型FET对栅源电压UGS的要求，通常有两种类型的偏置：

一种是仅适用于结型场效应晶体管和耗尽型场效应晶体管的自偏置电路，另一种是适用于各种类型场效应晶体管的分压偏置电路。1.自偏置电路适用于结型场效应晶体管和耗尽型场效应晶体管。根据耗尽型MOS晶体管的特性，即使UGS=0，在对应的电压UDS下也存在漏极电流ID。

在图中所示的电路中，当ID流过源电阻R时，会出现电压降USQ=IDQ * R。因为栅电流为零，R电流为零，所以栅电位VGQ=0，所以栅源静态电压作为静态工作点来分析：IDQ和UDSQ2可由下式计算。分开的自偏置电路

上图所示电路简单，也有一定的稳定工作点的作用。但Ra的值不能很大，否则负偏会太高，放大倍数会降低，出现严重的非线性失真。

所示电路是一个N沟道增强型MOS晶体管共源放大器电路。电路的改进电路有一个正电位接在它的栅极上，也就是被电阻Rg1、Rg2分压，然后被Rg3加到栅极go上。因为栅极为正电位，所以可以适当增加连接到源极S的Rs的电阻，使得静态工作点Q不会太低，稳定性大大提高。

栅源电位分别为：因此，栅源电压：根据IDQ与UGSQ的关系，可以计算出其他变量二、 FET放大电路1的动态分析。场效应晶体管的微变等效电路。

FET是压控器件，其漏极电流I由栅源电压U控制，其漏极输出回路可以等效为由输入电压ugs控制的恒流源GM * ugs。由于输入电阻rgs和漏源电阻rds在低频段为高阻抗，可视为开路，所以图2.6.3(b)所示的电路可以用图2.6.3所示的简化等效电路来表示。2.FET共源放大器电路分析1。电压放大系数Au-表示共源放大器电路的输出和输入是反相的。

2.输入电阻Ri电路的输入电阻Ri为：3。输出电阻Ro: 3的经典例子。场效应晶体管1的共漏放大电路分析。静态分析画出DC路径；只需求解联立变量。2.动态分析电压放大系数的输入电阻和输出电阻。

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