中国汽车技术论坛，先进汽车技术论坛:最新汽车设计技术的讨论

很多朋友对中国汽车技术论坛，先进汽车技术论坛:最新汽车设计技术的讨论不是很了解，每日小编刚好整理了这方面的知识，今天就来带大家一探究竟。

去年电动汽车的发展速度比预期的要快。自动驾驶技术已经从短期优先推至长期目标，但与AV的竞争依然激烈。先进汽车技术论坛将提供关于最新汽车设计趋势的主题演讲、小组讨论、技术演示和教程，包括多管齐下开发具有自动化功能的节能先进电动汽车。

汽车工业正在参与汽车电动化和汽车自动化的竞争。为了使电动汽车能够更快地充电，汽车电力电子设计师需要宽带隙半导体材料(GaN/SiC)和新的动力总成架构，以满足电动汽车的效率和功率密度要求。为了保护环境，限制温室气体排放是非常重要的。

第一天，迈凯轮应用电气化总监Steve Lambert、EPC首席执行官Alex Lidow和华威大学PGC咨询公司创始人Peter Gammon将发表演讲。Stephen Lambert将讨论效率对这些指标的影响和重要性。

汽车动力总成技术的最新发展加速了双48 V/12 V总线架构在轻度混合动力汽车中的应用，可降低8-15%的油耗。48 V总线的可用性还可以支持更重的负载，如空调，更快的客舱加热，以及使用48 V锂离子电池更快更平稳的启动。正如Lidow在他的演讲中所展示的，GaN-on-Si功率器件是最适合这种应用的半导体。

Peter Gammon将分析为什么SiC优于其硅同行，SiC技术在汽车逆变器中的现状以及SiC芯片生产的经济性。GaN、SiC、动力系统、充电站

第二天，UnitedSiC/Qorvo Power Devices的总工程师Anup Bhalla将讲述SiC，并以“用最新的SiC FET技术提高车载充电器的性能”为开场白介绍SiC。碳化硅场效应晶体管已经在OBC电路中确立了它的地位，特别是当电池工作电压超过500伏时.这些器件的低功耗允许在这种应用中使用通孔和表贴封装。

Bhalla将检查这些封装选项的相对热性能，并展示TO247-4L和D2PAK-7L选项在6.6KW和11KW充电器中的可行性。

开幕式结束后，德州仪器汽车系统工程营销总监Ryan Manack和Wolfspeed首席技术官兼联合创始人John Palmour将分别就GaN/BMS和SiC展开讨论，题目如下：“电动汽车之路的采用：GaN、BMS和集成电源系统”——“用碳化硅推动更绿色的未来”第三天，我们将分析充电站。英飞凌科技全球应用经理Elisabeth Preuss将在开幕式上发表题为“下一代快速电动汽车充电器展望”的演讲。

随着市场上电动汽车数量的不断增加，以及政府要求在2050年前将汽车排放降至零的压力，对更高效的充电解决方案的需求也在不断增加。各种消费者研究表明，电动汽车的接受程度在很大程度上取决于高效快速充电基础设施的可用性。配备强大DC充电器的超高功率电动汽车充电站将成为未来市场的答案。所以电动汽车的充电时间可以达到传统汽车加油的水平。

在开幕式上，英飞凌将更深入地了解半导体技术如何推动电动汽车快速充电进入未来。

接着，两场主题演讲将探讨电动汽车无线充电，展望充电基础设施的未来：《电动汽车无线充电之路》，作者为Eggtronic首席执行官兼CTO Igor Spinella；ABB电力转换公司工业部门负责人戈帕尔米特拉(Gopal Mitra)和ABB电力转换公司电动汽车充电业务全球业务发展经理金奎大纳普(Andrew Nap)共同发表了《电气化我们的移动性：不断发展的电动汽车用例如何推动充电基础设施的创新》。

最后会分两组讨论。一个小组将包括与主题发言人和观众的问答环节，而另一个小组将彻底检查宽带差距材料的所有方面。电动汽车和混合动力电动汽车正在寻找高效且经济的电源转换解决方案。与硅相比，宽带隙半导体具有出色的性能。在与Nexperia、onsemi和意法半导体的小组讨论中，我们将讨论GaN/SiC给汽车行业带来的主要挑战和好处。

审核编辑黄浩宇

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