闪存ufs2.1是什么意思，什么是UFS闪存

很多朋友对闪存ufs2.1是什么意思，什么是UFS闪存不是很了解，每日小编刚好整理了这方面的知识，今天就来带大家一探究竟。

随着麒麟970、骁龙845、三星Exynos 9810等新一代旗舰处理器的出现，高端智能手机有望在2018年迎来准5G网络体验(下行速率可达1.2Gbps，但需要运营商基站的支持)。到2020年，5G网络将带来从10Gbps到20Gbps的更加极致的组网速度，秒级高清视频不是梦。但是网络性能的飞跃也会给手机硬件带来很大的压力，闪存芯片就是最大的压力点。手机网络的持续加速

现在即使是千元智能手机下行速率也达到了Cat.7的标准，300Mbps，而中高端手机已经享受到了Cat.12(600Mbps)或者Cat.16/18(1.0Gbps/1.2Gbps)的速度。要知道很多地区的家庭宽带只有20Mbps到100Mbps之间。在不考虑运营商基站限速的情况下，智能手机的下载速度已经远远超过有线网络。未来5G的下行峰值速度可以达到20Gbps。

以即将推出的Cat.18为例，其1.2Gbps下行速率理论下载速度为150 MB/s，到2019年5G网络商用试运行时，10Gbps初始下行速率对应的下载速度将达到1.25 GB/s.如果这个速度放在PC端，那么只有支持NVMe协议的PCIe SSD不会成为速度上的拖累(主要看SSD的写性能)，无论是HDD机械硬盘还是SATA3.0接口SSD都会成为“拖油瓶”。

在PC感觉“亚历山大”的当下，智能手机该如何应对更高速网络的挑战？读写性能的重要性不是下载瓶颈，只是对闪存的基本要求，闪存性能在实际运行中的影响还表现在更多方面。比如安装一个大于GB的APP，录制生成4K视频，连拍的照片，相册中大量图片的刷新预览。在这些应用环境中，只有更高速的闪存才能告别卡顿和延迟，缩短app的安装和启动时间。

从eMMC进化到UFS的好消息是，智能手机的存储性能足以应对Cat.18网络的挑战。即使低端手机采用的eMMC 5.1也能提供100MB/s以上的连续写入速度，而UFS闪存的高端手机即使在4 K下也能达到150MB/s以上的写入速度，但面对未来5G网络的进攻，现有的闪存技术将会失去作用。让我们回顾一下智能手机常用的闪存技术标准：

EMMC:嵌入式多媒体卡(Embedded Multimedia Card)，是在NAND闪存芯片的基础上，额外集成了主控制器，并将它们封装到一个BGA芯片中，从而减少了PCB主板的空间占用，也是移动设备中最受欢迎的存储单元。eMMC的性能会随着总线接口的升级而提升，最新的标准是eMMC 5.1。也有很多手机选择堆叠封装CPU和闪存芯片。

UFS:universal Flash Storage可以看作是eMMC的高级版本，是由多个Flash芯片、主控和缓存组成的阵列存储模块。UFS弥补了eMMC只支持半双工操作(读写必须分开进行)的缺陷，可以实现全双工操作，所以性能翻倍。

目前UFS细分为UFS 2.0和UFS 2.1，其读写速度强制标准为HS-G2(高速GEAR2)，HS-G3标准可选。两种标准都可以在1线路(单通道)或2线路(双通道)模式下运行。手机能达到多大的读写速度取决于UFS闪存标准和通道数量，以及处理器对UFS闪存的总线接口支持。

例如，大多数配备UFS 2.1闪存的手机可以实现800MB/s的连续读取性能。不过魅族PRO 7官方称搭载UFS 2.1闪存，但实际测试的连续读取速度只有500 MB/s左右，这并不是魅族的虚标，而是PRO 7搭载的联发科Helio X30处理器只支持单通道UFS总线接口，无法充分发挥UFS 2.1闪存的性能。

需要注意的是，虽然UFS 2.1相比eMMC 5.1，连续读取速度提升了约2.5倍，但连续写入速度变化不大(约200MB/s)。但如果我们密切关注4K的写入速度，就会发现UFS 2.1的实测速度领先eMMC 5.1十倍以上，这对加快下载更有实际意义。苹果的主要NVMe闪存

苹果从iPhone 6s开始也推出了超高速闪存，但不是大家熟悉的UFS，而是一款名为“NVMe”的闪存芯片。事实上，NVMe和UFS的本质是NAND，但在协议层面有所不同。NVMe协议比UFS协议效率高，所以在大多数测试项目中，使用NVMe协议的iPhone在读写速度上总能领先安卓手机的UFS。UFS 3.0护航5G

问题来了。面对1.25GB/s级别起步的5G网络下载速度，即使是UFS 2.1也有些力不从心。我们做什么呢好消息是，固态技术协会(JEDEC)最近正式发布了UFS 3.0标准(JESD220D，JESD第223届)和UFS存储卡V1.1标准(JESD220-2A)。其中，UFS 3.0正好可以成为与5G网络合作的存储技术。

简单来说，UFS 3.0引入了HS-G4规范，单通道带宽提升至11.6Gbps，是HS-G3(UFS 2.1)的两倍性能。由于UFS支持双通道双向读写，UFS 3.0的接口带宽最高可达23.2Gbps，也就是2.9 GB/s，此外，UFS 3.0支持更多分区(UFS 2.1有8个分区)，提高了纠错性能，支持最新的NAND闪存介质。

三星已经宣布将在2018年第一季度推出UFS 3.0界面产品。麒麟970和骁龙845、Exynos 9810开发较早，所以没有赶上UFS 3.0标准的支持。不过下半年的麒麟980，以及2019年即将发布的骁龙85x和Exynos 99xx应该可以支持，从而满足5G时代更高速的读写需求。如何辨别手机内存条

过去，只有旗舰处理器支持UFS闪存，但现在包括骁龙660和Helio P30在内的新一代中端处理器也支持UFS闪存。虽然目前为了降低成本，搭载骁龙660/Helio P30芯片的手机是eMMC 5.1，但不排除未来一些中端电脑也会通过武装UFS闪存来提升竞争力。所以，我们还是有必要学习一下，对于配备闪存的手机，如何区分技术标准。

在网上搜索下载名为“P10Check”的应用后，可以自动反馈手机的闪存标准是eMMC还是UFS。不幸的是，该软件无法进一步细分UFS的版本(如UFS2.0或UFS2.1)。

如果想了解手机闪存的具体性能，可以下载安装名为AndroBench的测试软件。如果测试结果连续读取速度在700MB/s以上，说明手机闪存的版本是双通道UFS2.1，代表了目前最顶级的存储性能。如果速度在500MB/s左右，则为双通道模式运行的UFS2.0或单通道运行的UFS2.1。

提示：由于闪存芯片存在缺货/涨价风险，部分手机厂商可能会为热销手机准备多家供应商的闪存芯片。比如前几批手机的闪存来自三星，后来换了东芝，最后一批是闪迪。不同供应商的闪存芯片性能可能会略有差距，大家需要意识到这一点。

以上知识分享希望能够帮助到大家！