理想二极管芯片，二极管的芯片结构、基本特性及分类

很多朋友对理想二极管芯片，二极管的芯片结构、基本特性及分类不是很了解，每日小编刚好整理了这方面的知识，今天就来带大家一探究竟。

pn结和电极形成在作为二极管的硅中。采用pn结的二极管称为普通整流二极管。对普通整流二极管的开关特性进行改进后，称为快恢复二极管(FRD)，区别于普通整流二极管。在二极管中使用金属层代替P型半导体，这被称为肖特基势垒二极管(SBD)。二极管的芯片结构：为了在芯片切割(划片)前贴上保护膜，有两种结构：根据材料和特性可分为：根据用途和特性：

二极管的基本特性二极管的静态特性：二极管的动态特性(开关特性):普通整流二极管采用硅pn结二极管，为工频交流(50/60Hz)整流而制造。典型特征：1。反向恢复时间长，不适合高频整流。2.通常的整流桥是具有4到6个普通整流二极管的桥模块。p型半导体：简而言之，是指具有正电性的半导体。n型半导体：

简而言之，它指的是具有负电性的半导体。Pn结：指P型半导体区与N型半导体区相接的部分。PN结不是P型半导体和N型半导体之间的“键合”，而是在一个硅片上制造P区和N区形成的。快恢复二极管PN结二极管(普通整流二极管)是一种高速二极管。当二极管由正向偏置变为反向偏置时，在一定时间内会有反向电流流过。这个电流叫做恢复电流，这个时间叫做反向恢复时间。

也叫高速二极管，采取措施缩短pn结二极管的反向恢复时间(trr)。为了整流几十kHz到几百kHz的高频用于开关电源等用途，trr比普通整流二极管小2 ~ 3个数量级。齐纳二极管用于搭建稳压电路，利用二极管反向无电流通过的特性吸收浪涌电压。为了与用于浪涌电压吸收的二极管相区别，它也被称为TVS(瞬态电压抑制器)。

齐纳二极管充分利用了等效于普通二极管的击穿特性。与普通二极管相反，它的电流从阴极流向阳极，通过稳压或吸收能量来保护电路。

新元件的齐纳二极管是一个硅TVS，可以保护电路免受突然负载下降和浪涌等过电压的影响。其特点是其能量容限比普通齐纳二极管大，响应速度比变阻器快。通常情况下，齐纳二极管会在任何时候通过小电流来利用稳压特性，而TVS的不同之处在于，它通常没有电流通过，只在紧急情况下工作。

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