SGT，MOSFET技术优势

很多朋友对SGT，MOSFET技术优势不是很了解，每日小编刚好整理了这方面的知识，今天就来带大家一探究竟。

SGT MOSFE是一种新型的功率半导体器件，具有传统深沟槽MOSFET的低导通损耗和低开关损耗的优点。SGT MOSFE作为开关器件，应用于新能源电动汽车、新型光伏发电、节能家电等领域的电机驱动系统、逆变系统和电源管理系统，是最核心的功率控制部件。

SGT(Shield Gate Trench MOSFET)MOSFET的结构和制造方法，由于不需要在沟槽中生长厚的屏蔽电极介质层，而Bsg具有良好的高温回流特性和良好的沟槽填充能力，可以大大减小沟槽CD，从而减小间距尺寸，使用更高掺杂浓度的外延片达到相同的击穿电压，降低器件Rsp，增强市场竞争力。

Fig. 1 trench MOSFET structure fig. 2SGT MOSFET structure has technical advantages, which are embodied as follows:

1)米勒电容SGT工艺比沟槽工艺低很多，所以开关损耗低。2)SGT的沟槽深度是沟槽工艺的3-5倍，SGT可以横向使用更多的硅外延体积来截止电压，使得SGT的内阻比普通MOSFET低2倍左右。3)由于SGT MOSFET具有更深的沟槽深度，更多的硅体积可用于吸收EAS能量。所以SGT在雪崩中可以做得一样好或者更好。4)相同规格下，芯片面积可以更小，性价比更高。

上洋通采用SGT最新一代技术，基于多项专利技术推出一系列中低压MOSFET产品。介绍上洋通最新的150V SGT MOSFET。根据150V产品应用领域的不同，上洋通还推出了两款接近Rdson的产品：TO-22OC和TO-263封装的SRT15N050H和SRT15N059H。

SRT15N050H和SRT15N059H主要参数对比SRT15N050H和SRT15N059H器件开关特性对比测试条件：Vdc=75VRg=20Vgs=12VId=26ASRT15N050H适用于内阻低、开关速度要求低的系统，类似于BMS应用；SRT15N059H适合要求低开关损耗和高开关速度的系统，类似于高频同步整流(SR)应用。图3SR应用

图4BMS应用上洋通中低压SGT系列产品已在电机驱动、电动工具、PD适配器、大功率电源等多个领域大量供货。帮助了国内半导体器件的发展。附：上洋通SGT MOSFET产品选型表。

以上知识分享希望能够帮助到大家！