dfn封装工艺流程，DFN封装在发动机仓环境下有很好的散热性能

很多朋友对dfn封装工艺流程，DFN封装在发动机仓环境下有很好的散热性能不是很了解，每日小编刚好整理了这方面的知识，今天就来带大家一探究竟。

每个电子应用电路系统都面临着独特的挑战。从汽车和工业应用到可穿戴设备，如何解决热特性问题变得越来越重要。随着我们在越来越小的空间中集成越来越多的功能，如何保证足够的散热成为一个关键问题。Nexperia的DFN封装产品组合为解决热失控问题提供了很好的解决方案。

功耗和散热一直是设计工程师不得不面对的问题。以前这个问题比较容易解决，只需要在芯片或者电路板上连接一个高效的散热器就可以了。然而，随着电子设备尺寸的缩小，运行速度越来越快，电路板的密度越来越高，半导体芯片的温度也在上升。工作环境温度的恶化很容易使问题恶化。

正如我在博客《让汽车工业轻松转入无引脚时代》中所说，使用小尺寸分立扁平无引脚(DFN)封装可以腾出大量电路板空间。这样设计者可以减少整体占用面积，或者在同一块电路板上集成更多的功能，同时保持DFN封装使用SWF，可焊侧工艺，方便光学检测(AOI)。重要的是，它还为设计人员提供了一种封装解决方案，与传统封装相比，这种封装具有优异的热性能。

降低电路设计的热功耗通过对比同一设备使用SOT23和DFN的结果，我们发现电参数几乎相同。毫无疑问，DFN封装通过删除引脚改善了寄生电容和电感。此外，DFN封装可以显著提高热性能。这在热模拟中被清楚地证明。例如，在下面的例子中，相当于250 mW内部耗散功率的偏置条件被施加到分立半导体器件。

在SOT23封装中，硅片内部产生的热量需要通过引脚传导到PCB上实现散热。PCB和塑料封装引脚和芯片体向周围环境散热。在此模拟中，我们假设环境温度为25，SOT23中硅的温度升至130。

然而，在DFN中，热量通过内置的金属散热器从硅直接散发到PCB。在上述模拟中，DFN1412D-3封装的内部温度保持在105，与硅温度相差25。实际上，测量结果显示结温只有98。显然，DFN封装的热连接明显优于SOT23。SOT23和DFN1412D-3的热仿真表明，内部功耗为250 mW。提高可靠性，延长使用寿命。

这种硅温差非常重要。一方面，我们可以进一步提高这种封装的功率密度。换句话说，在正常运行模式下，设备可以在较低的温度下运行。这有助于延长设备的使用寿命，提高系统的可靠性。审计郭婷

以上知识分享希望能够帮助到大家！