内存疯狂涨价背后的原因，扩产后涨势继续

很多朋友对内存疯狂涨价背后的原因，扩产后涨势继续不是很了解，每日小编刚好整理了这方面的知识，今天就来带大家一探究竟。

今年的DRAM/NAND产能真的达到了一个顶峰。据悉，面对DRAM/NAND产能的“疯狂”需求，三星和SK海力士欲在2018年提高产能，扩产仍将提高价格。背后的原因是什么？所以这篇文章会解释背后的原因。

最近看了一篇文章，里面提到了“以内存为中心的计算”的思想。这些变化将对半导体制造和存储行业产生巨大影响，尤其是两大手机硬件厂商三星和苹果，可谓科技行业的金丝雀。不过三星不仅内存用的多，而且还是最大的厂商。

在苹果方面，该公司最近投资了一个财团，该财团正计划收购东芝的内存份额。如果这项协议完成，那么苹果也将成为一家内存制造商。

内存价格变化太快，现在已经变贵了，还会继续占据设备厂商BOM的成本份额。这对内存垄断者和他们的客户影响很大。有分析称，2018年三星和SK海力士都想提高产能，这将导致产能过剩，行业毛利率大幅下降，并会持续到2020年。例如，美光的股东回报预计将在2019年和2020年下降。

虽然三星电子和SK海力士在内存行业投入巨大，但两家公司都在增加对DRAM和NAND的投资，这也将打破目前供应短缺的局面，缓解内存价格。

但现在我觉得这种观点是错误的，不仅如此，内存的厂商也是这么认为的。2018年NAND闪存市场的疲软归咎于3D NAND效益的波动，也是行业内其他厂商开始疯狂追赶英特尔、美光的结果。然而，由于需求强劲，前景并不那么疲软。三星会放弃DRAM和NAND的高价吗？从第三季度的业绩也可以知道，三星的日子过得滋润，半导体领域的营业利润达到50%。

从行业角度来说，这也和内存行业厂商的自身利益有关。每个人都有自我保护意识，不会轻易在DRAM和n and价格上出问题，所以本文会解释背后的原因。另一方面，苹果也加入了内存这个大“党”，苹果似乎觊觎三星在这一领域的收入。但是，这也是苹果的问题，就是要避免商业模式的改变。

技术变革的计算模式正处于历史性变革的初期，这将产生深远的影响。简单来说，计算的重心正在从处理器转移到内存。自20世纪40年代末信息时代开始以来，冯诺依曼计算机模型一直占据主导地位。在这种架构中，图灵的存储程序模型用于使用内存总线的架构，该架构必须由指令和数据共享。

值得注意的是，大多数数据存储被定义为外部中央处理器及其本地内存资源。在这种形势下，处理器的主导地位诞生了，它的快速发展让发展缓慢的内存和存储技术“相形见绌”。

处理器/内存发展不平衡导致“内存墙”现象(指内存性能严重限制CPU性能的现象)。因为内存技术跟不上，多年来缓存设计和管理的创新提升了性能。但是，这种架构的局限性使得这种模式走到了尽头。更糟糕的是，随着处理器发展创新多核设计，每个核心的内存将系统性能瓶颈从FLOPS转移到内存延迟。

将数据移入和移出以处理器为中心的模型的高级缓存的需求非常高。

当数据呈指数级增长时，我们必然会遇到上面提到的问题。现在人工智能、深度神经网络、大数据、记忆计算、物联网、VR/AR、云计算都在蓬勃发展。我们正在经历世界的数字化发展，这必然会给我们带来更多的数据麻烦。不幸的是，以处理器为中心的模型已经逐渐无法解决这些令人头痛的问题。

我只能说，“欢迎来到新世界”。冯诺依曼计算已经达到了性能极限，新的以内存为中心的计算模式将积极发展并取代它。有一点是肯定的，支持它所需的软件和系统工具还需要一段时间才能完全实现，全新的NVMs(非易失性存储器)和处理器到存储器的互联模型(如“Gen-Z”和“OpenCAPI”)还没有部署。

与此同时，大数据、物联网、AI/ML、爆炸式数据都在给现有技术带来巨大压力。发展到中期，所有的计算设备厂商都会越来越多地使用DRAM和NAND来解决这个问题。这也将是一个长期的解决方案(十年或二十年)，我们需要新的内存来增强和取代今天的技术。与新的存储器技术同样重要的是开发新的编程和系统实现，这也正在进行中，并被称为NVM编程模型。

这种新的编程模型将为海量数据存储提供低延迟的数据访问。正如Micron的Pawlawski所说，出于功耗和性能的考虑，我们将不再能够将数据移动到处理器，数据将在本地处理。要做到这一点，我们需要新的非易失性内存，而无需移动和解压缩设备(SSD或HDD)中的数据。最后，我们需要构建和配置一个映射的混合内存环境。

DRAM和NAND会存在很多年，但是未来新内存带来的优势会给设计者带来更显著的好处——功耗和性能。因此，三星和苹果不得不重新思考他们的硬件架构，以适应这种新的计算模式。他们必须给设备增加更多的内存。(英特尔最近宣布2018年下半年推出3D XPoint NVDIMMS，直指混合内存的未来。)

内存厂商未来趋势下图是自1997年以来的DRAM厂商列表。

如今，三家公司几乎垄断了DRAM 95%的出货量，其中三星最大，其次是SK海力士和美光。NAND闪存行业则有更多的参与者，不过仍只是五家制造商，有三星、东芝/西部数据（合资公司）、美光（与英特尔合资部署3D XPoint，今年年底将脱离NAND）、SK海力士和英特尔。随着时间的推移，中国企业也会占有一席之地，不过能否取得长足进步并带来实质性的成果，还是有很多质疑的。

毕竟这个行业进入门槛很高，至少要经历10年到20年的积累和发展期，存储器将会由一个个紧密合作的寡头垄断。

值得一提的是，这个行业在财务上有一段曲折的故事，所以该行业在整合前面临很大的困难。下面这张图也反应了这个时代的财务难题。

这段历史导致了市盈率相当低，让投资者甚至怀疑这些公司的盈利能力。

下一个关键因素，就是资本密集度高。这中间需要很长的交货时间来增加新晶圆的制造能力，一旦晶圆制造能力得到提高，必须在多年内有高利用率才能负担得起背后的巨大投资。新DRAM和NAND晶圆厂耗资数十亿美元，需要平均两年才能完成建设，来完善良好收益的生产流程。

还有一个关键因素，这里也是个知识产权密集地。不受限制得获得知识产权对公司运营和财务的成功才是至关重要的。而且知识产权的培养又费时又贵，研发成本非常高（去年美光和WDC上涨了9%），但知识产权杠杆率如此之高，导致了每年的财务表现变化莫测，但仍需保持高投资水平。如今，这个行业变得尤为重要，新一代NVM的推出最终会取代DRAM和NAND。

可以说，行业的供需平衡问题从来没有带来更多机会和风险，但平衡这两者却不容易。2015—2016年低迷期投资这个行业的人都了解这一点。毕竟行业只能直接控制供给，影响需求的能力还是有限的。另一方面，DRAM需求对价格下降的反应相对较少，因为它对设备性能非常重要，用例需求和竞争压力会使其上升。

即使考虑到供应本身，行业怀疑论者指出，有太多的变量会影响产出，在实际操作中，即使是一个整合的行业，也可能难以校准供应，以匹配预测的需求水平。

想要得到更多产量，第一个就是晶圆厂扩产，来每月生产更多的晶圆。不过这会带来正反两方面影响，一个是新工艺要求更多的机器和更多的产能而导致晶片输出的损失，这些步骤占用了更多的空间和更多的时间。如DRAM和3D NAND（3D to 3D）闪存新工艺引入大约有10%的晶片损失。另一方面，新工艺却能让一块晶圆产生更多芯片，这也是衡量制造工艺质量和生产率的一个指标。

产量通常开始较低，然后随着时间推移而得到改善。例如，今年以来，一些预测者预测NAND供应过剩（因此ASP下滑），因为新的64层工艺3D NAND的产量将在今年下半年大幅攀升。另一方面，成本也会下降，因为模具成本和工艺设计、成品率、成品率之间是函数关系。

以上这些又能说明什么？存储器行业是个发展缓慢，投资周期长的产业。在这个行业里的各个公司都知道，它们各自采取行动，但共同承担能力投资决策的后果。过多的工业产能会带来极其繁重的财务后果。另一方面，在投资能力方面，下行空间有限，财务收益也有限。

存储器客户也渐渐意识到一些问题，首先是需求问题，客户需要充足的供货。其次是成本问题，在性能和需求方面，成本也有很大因素。从2016年中到如今，DRAM和NAND一直供不应求，且价格不断上涨。DRAM的供应受到了很大限制，价格在过去一年翻了一倍多。对于苹果这样的供应商来说，简直是双重打击，毕竟它们需求量大，导致了它们BOM成本趋于上升。

对于存储器制造商来说，这种情况虽说赚的很多，不过却不能满足OEM日益增长的需求。

我们看过很多关于存储器价格暴涨的新闻，三家DRAM供应商也都曾明确表示自己的态度。三星表示2018年DRAM产能增长不会超过20%，需求量却要增长25%。关于NAND，三星表示：“供应方面，虽说64层产量在扩大，因为技术难度增加，与需求增长相比，供应增长预计将受到限制，”

关于DRAM，三星也透露：

“在密切观察市场之后，我们将扩大差异化产品的销售和管理，推出以利润为导向的产品组合，以此来提高盈利能力。”

很显然，这些言论并不能支撑“供过于求”这个观点。

美光也表示：“2018财年关于新晶圆的声明，同样适用于DRAM和NAND。”

SK海力士情况更为复杂：

“对于DRAM而言，从技术迁移中获得的生产率增长其实要慢很多。迁移过程本身就很复杂，随着步骤越加增多，所需设备也就越多，生产时间变长。这就使得虽然在一定程度上增加了供应量，但难以大幅提高晶圆容量。毕竟无尘室的空间是有限的，技术迁移的投资也非常高。”

整体而言，该行业还是处于行动阶段，大家都在为自己的经济利益谋划，不过这显然对那些预测产能增加的人来说，是充满争议的。NAND与DRAM不同，它市场增长速度更迅猛，这将导致供需失衡的风险。我认为，NAND的需求增长将超过所有供应端的预测。

以上知识分享希望能够帮助到大家！