二极管符号说明，二极管符号大全及电路图形符号

很多朋友对二极管符号说明，二极管符号大全及电路图形符号不是很了解，每日小编刚好整理了这方面的知识，今天就来带大家一探究竟。

二极管符号百科及电路图形符号：二极管符号的含义(含义):CT -势垒电容CJ-结(极间)电容，表示锗探测器二极管的总电容CJV-偏压结电容Co -零偏压结电容Cjo -零偏压结电容CJO/CJN-二极管两端施加规定偏压下的结。在试验电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC——电容的温度系数。

Cvn -标称电容IF -正向DC电流(正向测试电流)。锗检测二极管在规定的直流电压VF下通过电极之间的电流；硅整流管。硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值)，硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向DC电流；测量齐纳二极管正向电参数时的给定电流if(av)-正向平均电流。

IFM(IM)-正向峰值电流(正向最大电流)。额定功率下二极管允许的最大正向脉冲电流。发光二极管的极限电流。IH -恒定电流。保持电流。Ii - LED启动电流IFRM -正向重复峰值电流IFSM -正向非重复峰值电流(浪涌电流)Io -整流电流。工作电流IF(OV)-正向过载电流IL -在特定线路中特定频率和电压条件下通过的镇流二极管的光电流或极限电流。

ID -暗电流IB2 -单结晶体管中基极调制电流iem发射极峰值电流IEB10 -双基单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流ieb20双基单结晶体管中发射极定向电流ICM最大输出平均电流IFMP -正向脉冲电流IP -峰值电流IV -发电流IGD -晶闸管控制极不触发电流IGFM -控制极正峰值电流IR(av)-反向平均电流。

IR(in)-反向DC电流(反向漏电流)。测量反向特性时，给定的反向电流；具有指定反向电压的正弦半波阻性负载电路中通过硅堆的电流；当反向工作电压VR施加在硅开关二极管上时流过的电流；反向电压下齐纳二极管产生的漏电流；正弦半波最大反向工作电压下整流器的漏电流。IRM -反向峰值电流IRR -晶闸管反向重复平均电流IDR -晶闸管关断状态平均重复电流

IRRM -反向重复峰值电流IRSM -反向非重复峰值电流(反向浪涌电流)Irp -反向恢复电流Iz -稳定电压电流(反向测试电流)。测试反向电参数时，给定的反向电流Izk -稳压器的拐点电流IOM最大正向(整流)电流。在特定条件下可以承受的最大正向瞬时电流；在带阻性负载的正弦半波整流电路中，允许齐纳二极管的最大工作电流IZSM -浪涌电流连续通过锗检波二极管。

IZM -最大调节电流。在最大耗散功率下，齐纳二极管的允许电流if-正向总瞬时电流IR-反向总瞬时电流IR-反向恢复电流Iop -工作电流Is -齐纳二极管的稳定电流f-频率n -电容变化指数；电容比Q -品质因数(品质因数)vz-电压调节器的电压漂移di/dt-通态电流的临界上升率dv/dt-通态电压的临界上升率PB -脉冲烧断功率PFT(AV)-正向导通的平均耗散功率PFTM-正峰值耗散功率。

PFT -正向导通的总瞬时耗散功率Pd -耗散功率PG-平均栅极功率PGM -峰值栅极功率PC -平均栅极功率或集电极耗散功率Pi -输入功率PK -最大开关功率PM -额定功率。硅二极管结温能承受的最大功率不高于150度-最大泄漏脉冲功率PMS -最大耐受脉冲功率Po -输出功率PR -反向浪涌功率Ptot -总耗散功率Pomax -最大输出功率Psc -连续输出功率PSM -非重复浪涌功率。

PZM -最大耗散功率。给定使用条件下齐纳二极管的最大允许功率RF(r )-正向差分电阻。正向导通时，随着电压指数的增大，电流呈现明显的非线性特征。在一定直流电压下，如果电压增加少量V，正向电流增加I，则V/I称为微分电阻RBB -双基晶体管的基极间电阻Re-射频电阻RL -负载电阻RS(RS)-串联电阻Rth -热电阻R (th) JA-。

rz(ru)-动态电阻r(th)JC-热阻r-衰减电阻r(th)-瞬态电阻Ta -环境温度Tc -外壳温度td -延迟时间TF-下降时间tfr -正向恢复时间tg - Toff - OFF时间TR-上升时间trr -反向恢复时间ts -存储时间tstg -温度补偿二极管的存储温度a -温度系数p-发光峰值波长-光谱半宽。

-单结晶体管的分压比或效率VB -反向峰值击穿电压Vc -整流输入电压VB2B1 -基极间电压VBE10 -发射极与第一基极间反向电压VEB-饱和压降VFM -最大正向压降(正向峰值电压)VF-正向压降(正向DC电压) VF-栅极触发电压VGD -栅极非触发电压VGFM -栅极正向峰值电压VGRM -栅极反向峰值电压VF(av)-正向平均电压Vo -交流输入电压。

VOM---最大输出平均电压

Vop---工作电压

Vn---中心电压

Vp---峰点电压

VR---反向工作电压（反向直流电压）

VRM---反向峰值电压（最高测试电压）

V（BR）---击穿电压

Vth---阀电压（门限电压）

VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）

VRWM---反向工作峰值电压

Vv---谷点电压

Vz---稳定电压

Vz---稳压范围电压增量

Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压

av---电压温度系数

Vk---膝点电压（稳流二极管）

VL---极限电压CT---势垒电容

Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容

Cjv---偏压结电容

Co---零偏压电容

Cjo---零偏压结电容

Cjo/Cjn---结电容变化

Cs---管壳电容或封装电容

Ct---总电容

CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比

CTC---电容温度系数

Cvn---标称电容

IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流

IF（AV）---正向平均电流

IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

IH---恒定电流。维持电流。

Ii---发光二极管起辉电流

IFRM---正向重复峰值电流

IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）

Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

IF（ov）---正向过载电流

IL---光电流或稳流二极管极限电流

ID---暗电流

IB2---单结晶体管中的基极调制电流

IEM---发射极峰值电流

IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流

ICM---最大输出平均电流

IFMP---正向脉冲电流

IP---峰点电流

IV---谷点电流

IGT---晶闸管控制极触发电流

IGD---晶闸管控制极不触发电流

IGFM---控制极正向峰值电流

IR（AV）---反向平均电流

IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

IRM---反向峰值电流

IRR---晶闸管反向重复平均电流

IDR---晶闸管断态平均重复电流

IRRM---反向重复峰值电流

IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）

Irp---反向恢复电流

Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流

Izk---稳压管膝点电流

IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流

IZSM---稳压二极管浪涌电流

IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流

iF---正向总瞬时电流

iR---反向总瞬时电流

ir---反向恢复电流

Iop---工作电流

Is---稳流二极管稳定电流

f---频率

n---电容变化指数；电容比

Q---优值（品质因素）

vz---稳压管电压漂移

di/dt---通态电流临界上升率

dv/dt---通态电压临界上升率

审核编辑：李倩

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