贴片mos管工作原理，常用的贴片MOS场效应管分享

很多朋友对贴片mos管工作原理，常用的贴片MOS场效应管分享不是很了解，每日小编刚好整理了这方面的知识，今天就来带大家一探究竟。

贴片MOS场效应晶体管，由于价格低、体积小、驱动电流大，被广泛应用于各种开关电源、逆变器、锂电池保护板、低压LED驱动器等。1、AO3400，N沟道MOS FET，PD=1.4W，VDS=30V，ID=5.8A.导通电阻rds <33m (vgs=4.5v)。2、AO3401，P沟道MOS FET，PD=1.4W，VDS=-30V，ID=-4.2A，RDS <65(VGS=-4.5V)。

3、AO3404，N沟道金属氧化物半导体(金属氧化物半导体)场效应管，PD=1.4W，VDS=30V，ID=5.8A，Rds<43m(VGS=4.5V)4、 ao 3407，P沟道金属氧化物半导体(金属氧化物半导体)场效应管，PD=1.4W，VDS=-30V，ID=-4.1A，Rds <87m(VGS=-4.5V)。5、AO3415，P沟道金属氧化物半导体(金属氧化物半导体)场效应管，PD=1.4W，VDS=-20V，ID=-4A，Rds <43m(VGS=-4.5V)6、 si 2300，N沟道金属氧化物半导体(金属氧化物半导体)场效应管，PD=1.25W，VDS=20V，ID=3.8A，Rds=32m(VGS=4.5V)。

注：SOT-23封装的SI2300有两种丝印，即2300和A0SHB。7、SI2301，P沟道MOS FET，PD=0.9W，VDS=-20V，ID=-2.3A，RDS=93m(VGS=-4.5V)。8、SI2302，N沟道MOS FET，PD=0.71w，VDS=20V，ID=2.6a，RDS=45m(VGS=4.5v)。9、SI2303，P沟道MOS FET，PD=2.3W(最大值)，VDS=-30V，ID=-2.7A

10、SI2305，P沟道MOS FET，PD=2.3W，VDS=-8V(注：该型号耐压不高)，ID=-2.7A.11、SI2306，N沟道MOS FET，PD=0.75W，VDS=30V，ID=3.5A. 12、2SK3018，N沟道MOS FET，PD=0.35 W，VDS=30V，ID=0.1A. 13、20N03，N沟道MOS FET，SOT-89封装，VDS=30V，ID=20a。

14、2N7002，N沟道MOS FET，PD=0.5W，VDS=60V，ID=0.115a，Rds=5.3(VGS=4.5V).注：2N7002的丝印有两种，分别是702和7002。

以上知识分享希望能够帮助到大家！