nor nand flash 区别，解析NAND闪存和NOR闪存

很多朋友对nor nand flash 区别，解析NAND闪存和NOR闪存不是很了解，每日小编刚好整理了这方面的知识，今天就来带大家一探究竟。

无论消费者还是企业，大部分人一说起闪存，首先想到的就是NAND闪存。在某种实际意义上，NAND闪存可以说已经成为了固态硬盘的代名词。基于块寻址结构和高密度，它成为磁盘的完美替代品。

NOR闪存是不同于NAND的另一种类型的闪存。它具有不同的设计拓扑，更适合一些特定的应用场景。在比较NAND和NOR闪存在不同应用中的相对优势和适用性之前，检查它们的结构差异非常重要。

NAND闪存产品是一种高级存储芯片，是市场上嵌入式和独立SSD的主要原料。随着多层单元(MLC)技术和3D制造技术的结合，NAND存储单元被垂直刻蚀在硅衬底上，这使得存储密度和NAND芯片容量呈几何级数增长。NAND和NOR电路基础

虽然NAND闪存是两种非易失性存储器技术之一，但NAND和NOR都是由同一位东芝工程师在80年代中期发明的。要了解这两种的区别和命名，有必要简单回顾一下逻辑门的基础知识。NAND和Nor分别与布尔逻辑函数中的逻辑“与”和“或”相关。如下所示，NAND和NOR都响应两个二进制输入产生输出。响应两个二进制输入的NAND和NOR输出。

与非门和或非门只是针对各自的功能实现了上面的真值表。与非门在概念上被实现为与门。当两个输入都为1时，输出1——之后是一个非门，这是一个逻辑反转。相应地，或非门在概念上是一个或门——，当任何一个输入为1时输出1，然后是一个非门，这是一个逻辑反转。

布尔逻辑的背景对于理解NAND和NOR闪存非常重要，因为闪存单元以行和列的阵列连接。在NAND闪存中，一个组中的所有单元(通常是一个字节的倍数，取决于芯片的大小)共享一条位线，每个单元串联，每个单元连接到单独的字线。同一个字线连接一个内存块中的多个字节，通常是4 KB到16 KB。

因此，只有当所有字线都处于高态或单态时，位线才会被拉低或变为零态，这实际上是将存储体转换为一个多输入与非门。

相反，NOR闪存以这样的方式并行组织位线，使得当位线和字线都处于低或零状态时，存储单元仅保持高或单个状态。NAND单元的串联结构使它们能够通过导电层(或掺杂层)连接到衬底，而无需外部接触，因此显著减小了它们的横截面积。

NAND闪存单元的串行连接意味着它们不需要单元之间通过金属层的外部接触——，这是NOR拓扑所需要的。使用导电层连接硅衬底上的单元意味着NAND闪存的密度通常比NOR高两个数量级，或100倍。此外，组中单元的串联连接使得它们能够在3D阵列中垂直堆叠，并且位线类似于垂直管道。相反，因为NOR闪存单元不能被单独寻址，所以它们对于随机存取应用来说更快。NAND和NOR产品类型

这两种类型的闪存有着明显的特点和性能差异，有着各自最适合的应用类型。除了容量，NAND和NOR闪存还具有不同的操作、性能和成本特性，如下图所示。这两种闪存也有几种不同的产品类型，在I/O接口、写持久性、可靠性、嵌入式控制功能等方面都有所不同。NAND闪存产品类型

NAND闪存以单层(SLC)、多层(MLC)、三层(TLC)或四层(QLC)的形式存储1位/单元、2位/单元、3位/单元和4位/单元。要确定哪种NAND最适合工作负载，简单来说就是每个单元的位数越高，其容量就越大。

NAND设备只是没有任何外围电路的存储芯片，使得NAND闪存可以用于SSD、u盘或其他存储设备。相比之下，托管NAND产品嵌入了一个内存控制器来处理必要的功能，如损耗平衡、坏块管理(消除无用的内存块)和数据冗余。NOR闪存产品类型

串行设备通过仅暴露几个(通常1到8个)I/O信号来减少一个包中的引脚数量。这是需要快速和连续读取的应用程序的理想选择。NOR闪存通常用于瘦客户机、机顶盒、打印机和驱动控制器。并行NOR产品暴露多个字节，通常以内存页而不是单个字节进行操作，更适合启动代码和大容量应用，包括数码单反相机、存储卡和电话。这两种闪存都是不可或缺的。

NAND是闪存的主力军，广泛用于嵌入式系统的大容量数据存储和SSD存储设备。然而，NOR闪存在存储可执行启动代码和需要频繁随机读取小数据集的应用程序中起着关键作用。显然，这两种类型的闪存将继续在计算机、网络和存储系统的设计中发挥作用。

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