整流ⅰn5408二极管参数，整流二极管的参数是什么，整流二极管的作用是什么

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整流二极管参数(1)最大平均整流电流if:指二极管长期工作时允许的最大正向平均电流。电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意，通过二极管的平均电流不应大于此值，并应满足散热条件。例如，1N4000系列二极管的中频为1A。

(2)最大反向工作电压VR:指二极管两端允许施加的最大反向电压。如果大于这个值，反向电流(IR)会急剧增加，二极管的单向导通性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。比如1N4001的VR是50V，1N4002-1n4006分别是100V，200V，400V，600V，800V，1N4007的VR是1000V。

(3)最大反向电流IR:是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流，该参数反映了二极管的单向导通性。因此，电流值越小，二极管质量越好。(4)击穿电压VB:指二极管反向伏安特性曲线锐弯点的电压值。反向软时，指给定反向漏电流条件下的电压值。

(5)最大工作频率fm:正常情况下二极管的最高工作频率。主要由PN结的结电容和扩散电容决定。如果工作频率超过fm，二极管的单向导通性能就不能得到很好的体现。比如1N4000系列二极管的fm是3kHz。另一种快恢复二极管用于整流频率较高的交流电，如开关电源。(6)反向恢复时间trr:指在规定负载、正向电流和最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。

(7)零偏电容CO:指二极管两端电压为零时扩散电容和结电容的电容之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使是同类型的二极管，其参数也是非常离散的。手册中给出的参数通常在一个范围内。如果测试条件改变，相应的参数也会改变。例如，1N5200系列硅塑封整流二极管的IR在25C时小于10uA，但在100C时小于500uA.整流二极管的作用

整流二极管的作用具有明显的单向导通性。整流二极管可以由半导体锗或硅制成。硅整流二极管可以有效地实现高击穿电压、低反向漏电流和优异的高温性能。整流二极管的作用是利用PN结的单向导电性，将交流电转换成脉动直流电。整流二极管电流较大，大部分被表面接触材料封装。

那么整流二极管的主要作用是什么呢？下面详细介绍整流二极管在边肖中的作用。

整流二极管最突出的功能是它的正向特性。当整流二极管加直流电压时，正向特性初始部分的直流电压很小，不能有效地克服PN结中电场的阻断作用。当整流二极管的正向电流几乎为零时，这一段称为死区，不能使二极管导通的直流电压称为死区电压。当整流二极管的直流电压大于死区电压时，PN结内的电场被有效克服，整流二极管正向导通，电流随着电压的升高而迅速上升。

在正常电流范围内，整流二极管导通时端电压几乎保持不变。

整流二极管作用中的反向是整流二极管施加的反向电压不超过一定范围时，电流少数载流子漂移通过整流二极管形成的反向电流。由于整流二极管的作用，反向电流非常小，因此整流二极管处于关断状态。整流二极管的反向饱和电流受温度影响。

硅整流二极管的反向电流一般比锗整流二极管小得多。小功率硅整流二极管的反向饱和电流在nA量级，小功率锗整流二极管的反向饱和电流在 A量级.当整流二极管的温度升高时，半导体被热激发，少数载流子的数量也会增加。

整流二极管作用下的反向击穿按机理可分为齐纳击穿和雪崩击穿。在整流二极管掺杂浓度较高的情况下，整流二极管的势垒区宽度很小，反向电压较大，破坏了势垒区的共价键结构，使电子脱离共价键，产生电子空穴。整流二极管的另一种击穿是雪崩击穿。

当整流二极管的反向电压增大到较大值时，外加电场会加快电子漂移速度，使整流二极管共价键中的价电子发生碰撞，将价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。

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