晶体管测试仪哪个好，晶体管图示仪使用方法及使用注意事项

很多朋友对晶体管测试仪哪个好，晶体管图示仪使用方法及使用注意事项不是很了解，每日小编刚好整理了这方面的知识，今天就来带大家一探究竟。

什么是晶体管绘图仪？晶体管特性绘图仪是一种可以测试晶体管特性参数的仪器。荧光屏的校准可以直接观察半导体管的共集电极、共衬底和共发射极的输入特性、输出特性、转换特性、参数和参数，并可以根据需要测量半导体管的其他极限特性和击穿特性参数。

晶体管绘图仪的组成晶体管绘图仪由集电极扫描电压发生器、基极阶跃信号发生器、阶跃脉冲发生器、X放大器和Y放大器、示波器、控制电路和电源电路组成，是测量晶体管特性参数的仪器。基本组成见下图：晶体管绘图仪主要技术指标：Y轴偏转系数1、Y；集电极电流范围：10A/DIV，分15级，误差小于3%；二极管反向漏电流：-2A/DIV~5A/DIV，误差小于5%。

-1A/格误差不超过7%-0.5A/格误差不超过10%-0.2A/格误差不超过20%外部输入：0.1A/格误差不超过3%2、 X轴偏转系数电极电压范围：0.1 ~ 500v/格。误差不超过3%外部输入：0.05V/DIV误差不超过3%步进电压范围：0.05~1v/步进分五步，误差不超过5%。串联电阻：10，10，0.1M分三档，误差不超过10%。

3、其他校正信号：0.5Vp-p，误差不超过2%)(频率为工频)01Vp-p，误差不超过2%)(频率为工频)电源电压：(22010%)V电源频率：(505%)Hz视在功率。

这个旋钮开关是一个17档旋钮开关，有四种偏转，用来选择绘图仪X轴代表的变量及其放大倍数。测试小功率晶体管的输出特性曲线时，将旋钮调到VCE的相应档位。测量输入特性曲线时，旋钮设置到VBE的相关档位。“电流/度”旋钮开关

这个旋钮开关是一个22档旋钮开关，有四种偏转，用来选择绘图仪Y轴代表的变量及其放大倍数。测试小功率晶体管输出特性曲线时，将旋钮拨到ic的相关档位。测量输入特性时，旋钮设置为“基极电流或基极源电压”(在仪表板上画出一个阶跃波形)。“峰值电压范围”开关和“峰值电压%”旋钮

“峰值电压范围”是一个有5个档位的按键开关。“峰值电压%”是一个连续可调的旋钮。它们的共同作用是控制“集电极扫描电压”的大小。无论峰值电压范围在哪个档位，都必须在开始时将峰值电压%设置为0，然后逐渐小心地增加到某个值。否则很容易损坏被测管。测试完电子管后，应将“峰值电压%”旋钮调回到零。“功率限制电阻器”旋钮

“功耗限制电阻”相当于晶体管放大器中的集电极电阻。它串联在被测晶体管的集电极和集电极扫描电压源之间，调节流经晶体管的电流，从而限制被测晶体管的功耗。测试功率管时，电阻值一般为1k。基本步进信号旋钮

该旋钮将周期性变化的电流信号加到基座上。每两个阶跃信号之间的差值大小由“阶跃选择毫安/级”选择。为方便起见，一般选择10 A.阶跃信号在每个周期中的步数是由“电平族”选择的，阶跃信号每簇的步数实际上就是绘图仪上可以显示的输出特性曲线的个数。阶梯信号每一级的毫安值的大小反映了绘图仪上显示的输出特性曲线的密度。

“零电压”和“零电流”开关该开关用于设置被测晶体管的基极状态。测量灯管的击穿电压和击穿电流时，需要使被测灯管的基极处于开路状态。此时可将开关设置在“零电流”档(只有电路断开时才能保证电流为零)。在测量晶体管的击穿电流时，需要短路被测晶体管的基极和发射极，这可以通过将开关设置在“零电压”位置来实现。

如何使用晶体管特性绘图仪：以JT-1型绘图仪为例介绍晶体管特性绘图仪的使用方法和注意事项，其面板如图8-11所示。(1)晶体管特性指示器的使用方法使用前预热5min。调整每个开关的初始位置。注意绘图仪两个极性开关的选择。测试NPN管时，开关应置于正位置；测试PNP管时，开关应置于负极位置。

(3)使用色标选择，一般观察用红色色标，摄影用黄色色标。调节亮度和辅助对焦旋钮，使光点清晰。

(4)将收集器扫描的所有旋钮调节到所需的范围。根据被测灯管的最大工作电压，峰值电压范围旋钮通常设置为0 ~ 20V或0 ~ 200V，峰值电压旋钮旋至零，功耗限制电阻设置为较大档位(如1k以上)。在测试过程中，根据变化调整尺寸，直到获得理想的特性曲线。

将X轴作用部分的伏特/度和Y轴作用部分的毫安伏特/度和放大倍数调整到要读取和测量的范围。通常速率开关先放在1，测试微电流时，速率放在0.1。使用时校正X轴和Y轴的灵敏度。按下X轴或Y轴校正开关，屏幕上的光电位移为10格，表示校正完成。

将基本阶跃信号部分的极性、串联电阻和阶跃选择(mA/level或V/level)调整到待测管读取和测量的范围。阶跃函数根据需要选择，一般是重复的，级别/秒一般是200。图8-11JT-1面板说明(二)使用绘图仪时的注意事项开始测试前，应了解被测晶体管的型号、交流和DC参数以及引脚排列。

测试中应正确设置步进选择、功率限制电阻和峰值电压范围开关的初始位置，以及极性开关的位置。如果位置不对，会损坏被测管道。试验时，应注意被测管道是否过热，是否超过被测管道的性能和极限参数。

(4)试验结束后，峰值电压范围应设置为0 ~ 20V将峰值电压旋钮转到零；将功率限制电阻放在1k以上比较大的位置；将基本步进信号的步进选择器开关置于小于0.01毫安/级；关闭电源开关，防止下次使用仪器时不小心损坏被测管。使用晶体管绘图仪的注意事项。使用前的检查检查仪表T的电压，确保保险丝是否为指定型号。

检查仪器的“峰值电压范围”是否在低电压范围，“峰值电压调节”是否调零，“电压-电流水平”是否在低阶梯电流范围，“阶梯信号”开关是否在off位置，“功耗限制电阻”是否在中间阶梯。2.使用注意事项峰值电压范围由低压范围变为高压范围时，应先将峰值电压逆时针旋转至零，换挡后再慢慢调整。

注意梯形信号的选择、限流电阻的使用和峰值电压范围的旋钮，以免损坏；测试大功率晶体管、极限参数和过载参数时，应使用单组梯形信号，防止过载损坏被测器件。测试MOS FET时，不要使栅极悬空，以免感应电压过高造成被测晶体管击穿。3.运用“三个必须”和“五个不要”的原则。让我们一起记住它们吧~三个必须：1)仪器用完后要复位。

2)避免过热、过冷温度、潮湿和灰尘；3)注意仪器通风，避免潮湿环境；5)不要将其他物体放在仪器上；2)不要将其他设备插入通风孔；3)不要让仪器受到撞击；4)不要用连接线拖动仪器；5)不要长时间倒置仪器。

以上知识分享希望能够帮助到大家！