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发光二极管压降介绍,发光二极管压降是如何产生的

发布时间:2023-12-07 12:04:11编辑:温柔的背包来源:

发光二极管压降介绍,发光二极管压降是如何产生的

很多朋友对发光二极管压降介绍,发光二极管压降是如何产生的不是很了解,每日小编刚好整理了这方面的知识,今天就来带大家一探究竟。

本文主要介绍发光二极管的压降,重点详细讲解发光二极管的压降原理及其压降计算。

LED 压降简介1. LED 压降- 简介

发光二极管(Light-Emitting Diode)是一种能发光的半导体电子元件,简称LED。 LED是由三价和五价元素组成的复合光源。这种电子元件早在1962年就出现了,早期只能发出低强度的红光。它已获得惠普专利并用作指示灯。后来,开发了其他版本的单色光。如今,能够发出的光涵盖了可见光、红外线和紫外线,光度也增加到了相当的光度。最初用作指示灯、显示面板等,随着白光发光二极管的出现,近年来逐渐发展为用作照明。

直插超亮LED压降

二极管有三种主要颜色。然而,三种发光二极管的压降是不同的。具体来说,

压降参考值如下:

红色发光二极管的压降为2.0--2.2V

黄色发光二极管的压降为1.8-2.0V

绿色发光二极管的压降为3.0-3.2V

正常照明时的额定电流约为20mA。

贴片LED压降

具体压降参考值如下:

红色压降1.82-1.88V,电流5-8mA

绿色电压降1.75-1.82V,电流3-5mA

橙色压降1.7-1.8V,电流3-5mA

蓝色压降3.1-3.3V,电流8-10mA

白光压降3-3.2V,电流10-15mA。

在发光二极管导通的起始点,会出现电压降。具体的压降值取决于不同厂家选择的掺杂材料和波长。两个LED的温度差异也会造成颜色的差异,从而产生压降的差异。

发光二极管的压降是如何产生的?发光二极管可以看作恒压负载。 LED 的压降取决于内部光子发射需要跳跃的能垒。能垒由发光颜色决定,因此电压降也取决于发光颜色。由于生产工艺的差异,每个LED的波长不同,这也造成了压降的差异。最高波长的偏差带通常为10u/o。

设计LED 驱动电路时,最常见的错误是基于典型的LED 正向导通压降k。 yp 设计。这种设计思想将多个LED串并联起来,并假设每串LED的总正向压降相同,流过每串的电流也相等。事实上,LED正向压降的偏差是非常大的。例如,单个1W luxeon星光白光LED的典型正向导通压降为=3.42V,但实际值最小仅为2.79V,最大为3.99V。正向压降的偏差高达15%。

LED压降和电流LED压降计算方法

计算压降的方法有很多种,计算发光二极管的压降也采用同样的方法。至于计算发光二极管的压降有哪些方法呢?请听听小编怎么说。首先,估算负载电流,并根据设备的功率计算电流。电流大小与功率有关,也与电压有直接关系。使用功率大小直接计算电流。然后计算电压。根据发光二极管的负载距离,估算电压损失,并根据电流选择截面积。然后就可以计算出LED 电压降。

发光二极管压降计算公式

有了计算发光二极管压降的方法,当然还需要公式的应用。首先计算电流I,公式为I=P/1.732Ucos,其中P功率,U电压,cos功率因数;那么电阻R的计算公式,R=L/S,指导体电阻率,L表示线路长度,S表示线路截面积;最后是发光二极管压降的计算公式,U=IR,将电压乘以电阻,就得到发光二极管压降的差值。就是这么简单,就是这么快。

贴片LED压降

SMD LED 的压降有多种颜色。不同颜色的LED的压降有不同的压降值。比如红色的压降1.82v-1.88v,电流5-8mA;橙色发光二极管压降1.7V-1.8V,电流3-5mA;绿色的压降为1.75v-1.82v。电流3-5mA;白光压降3v-3.2v,电流10-15mA;最后一个蓝色的压降为3.1-3.3V,电流为8-10mA。这些LED压降值仅供参考!

直插式多余LED压降

直插式LED 有多种不同颜色。不同颜色的直插式LED具有不同的压降。直插LED 的电压降还取决于所使用的电流。对于直插式过量发光二极管压降产生的压降差,小编无法给出准确的答案。但可以以直插式过大发光二极管的推荐压降差为例。作为参考,请根据不同颜色的直插超高亮LED的压降值继续阅读下文。

不同颜色发光二极管的电压降

不同颜色的发光二极管具有不同的压降。以下具体压降值仅供参考!红色发光二极管的压降为2.0-2.2V;绿色发光二极管的压降为3.0-3.2V;正常照明时的额定电流约为20mA。黄色发光二极管的压降为1.8-2.0V。然而,这些不同颜色的发光二极管的电压降、电流和电阻值也不同。其中,直径3毫米的白、蓝、紫为10毫安,红、绿、黄为5毫安,直径5毫米的为2倍。电流取决于不同的材料和横截面。

关于二极管压降的误解。相信很多工程师对二极管压降的理解还是基于模拟电子书上的一句话:硅二极管的正向压降为0.6-0.7V。这句话是非常有害的。应添加条件:测量正向电流。

更多人了解PN结的伏安特性,即PN结压降与正向电流呈对数关系。如果1mA是0.6V,10mA是0.7V,那么100mA和1000mA可以对应0.82V和大约0.95V。

事实上,上述关系仅在小电流下成立。当电流较大时,必须考虑二极管电阻成分的压降。我们目前知道,二极管除了PN结外,还有半导体材料的体电阻、封装引线电阻和引脚电阻。当这些电阻元件从几百mA到几A时,电压降非常明显。可以认为,在小电流时,压降主要由伏安特性决定,而在大电流时,压降主要由体电阻决定。

下图是MBR20100的V-I曲线。我们可以看到,在大电流条件下,二极管的压降迅速增加。

结论这是关于发光二极管的压降的介绍。如有不足之处,请大家指正。

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以上知识分享希望能够帮助到大家!