巨磁阻抗磁传感器，巨磁阻传感器应用

很多朋友对巨磁阻抗磁传感器，巨磁阻传感器应用不是很了解，每日小编刚好整理了这方面的知识，今天就来带大家一探究竟。

目前磁传感器在汽车领域的应用主要有霍尔效应、各向异性磁电阻效应、巨磁电阻效应和隧道磁电阻效应。英飞凌是少数几个掌握磁感应技术并将其应用于产品的半导体公司之一。

磁性传感器在现代汽车中应用广泛，如速度检测、角度检测、位置检测、电流检测等。根据磁感应原理可分为霍尔原理和磁阻原理。

According to the principle, magnetoresistance can be divided into constant magnetoresistance effect (ordinary magnetoresistance, OMR), anisotropic magnetoresistance effect (AMR), giant magnetoresistance effect (GMR), super giant magnetoresistance effect (CMR), tunneling magnetoresistance effect (TMR), giant magneto-impedance effect (GMI) and specific magnetoresistance effect (abnormal magnetoresistance, EMR).

目前磁传感器在汽车领域的应用主要有霍尔效应、各向异性磁电阻效应、巨磁电阻效应和隧道磁电阻效应。英飞凌是少数几个掌握上述磁感应技术并将其应用于产品的半导体公司之一。

与霍尔效应和各向异性磁电阻效应相比，巨磁电阻效应具有更好的灵敏度、更小的噪声和气隙性能，非常适合汽车领域要求高精度、大工作气隙的应用。目前，英飞凌GMR系列传感器覆盖速度和角度应用。

GMR磁头又称巨磁电阻(GMR)，由四层导电材料和磁性材料组成：传感层、非导电中间层、磁性钉扎层和交换层。今天，让我们来看看的应用领域。

巨磁阻传感器应用01巨磁阻传感器应用于硬盘具有巨磁阻效应的读取头，大大提高了硬盘的记录密度，大大提高了硬盘的容量，减小了硬盘的体积。目前硬盘最大容量已经达到4TB，远大于巨磁电阻效应应用之前。

02巨磁电阻随机存取存储器(MRAM)这是将沉积在衬底上的SV-GMR薄膜或TMR薄膜做成图案阵列形成存储单元，由两个磁性层的平行磁化状态和反平行磁化状态分别表示信息“1”和“0”；它和半导体存储器一样，是一种新型的磁存储器，利用电学检测磁化状态变化引起的电阻差异来读出信息。MRAM的潜在优势是不挥发，抗辐射能力强，寿命长。

这些都是DRAM、SRAM等半导体存储器所不具备的性能。同时具有大容量、高速存取、低成本、高集成度的特点。因此，MRAM不仅在军事和航空航天领域受到重视，而且在数码摄影、手机和多媒体信息处理等广阔的民用市场也有应用。正因为如此，美国、日本、欧洲等发达国家和地区以及高科技产业都非常重视这一新技术，都在投入巨资加快产品的商业化。

角度和位置传感器应用于数控机床、汽车测速、非接触开关、旋转编码器等领域。它具有功耗低、可靠性高、体积小、价格低、输出信号较强等优点。

与电子传感器相比，基于GMR传感器阵列的生物检测GMR传感器具有更高的灵敏度和可重复性，工作温度和电压范围更宽，抗机械冲击和振动性能优异，GMR传感器的工作点不会随时间漂移。GMR传感器的制备成本和检测成本低，对样品的需求很小。

由GRM传感器组成的阵列还可以与现有的IC技术相结合，提高整个设备的集成度，进行多目标探测。同时，与传统的荧光检测方法相比，磁性标签没有强烈的环境噪声，标签本身也不会逐渐褪色，不需要昂贵的光学扫描设备和专业操作人员。

GMR传感器芯片也广泛应用于军事装备，如超微磁场探测器、地磁场探测传感器、空间磁场方位传感器等。

以上知识分享希望能够帮助到大家！