数字控制，GaN_应用已做好准备

很多朋友对数字控制，GaN_应用已做好准备不是很了解，每日小编刚好整理了这方面的知识，今天就来带大家一探究竟。

在英语中，“准备好”是一个很有意思的词，在不同的语境中有完全不同的含义。当你有一屋子的女儿时，“准备好”意味着做好准备；而且准备时间绝对不会少于30分钟。在飞机上，“准备好”就是把手机收起来；终于，我们终于可以起飞了。

我们的行业发言人宣布，“甘准备好了黄金时间。”这种说法似乎表明GaN已经准备好广泛使用，或者GaN技术可以用于大量的应用中。这也意味着GaN是一项成熟的技术，不应该再被质疑。这个我不想评论，你自己说实话吧。

那么，我说的“GaN为数字电源控制做好准备”是什么意思？验证这一点的方法就是看GaN工艺的电源是如何发展起来的。许多情况下，电源设计人员使用数字控制来演示GaN应用。

其原因可能是考虑到数字控制的灵活性，设计者可以精确控制开关波形；另外，也是因为数字控制可以提供多个控制回路和保护电路，这些控制回路和保护电路可以管理GaN的所有缺陷和不足。

对我来说，“GaN为数字电源控制做好了准备”大致涵盖了上述内容，另外，这句话也意味着数字电源也为GaN的应用做好了准备。为了使数字功率控制为GaN的应用做好准备，它需要时基分辨率、采样分辨率和计算能力，以实现更高的开关频率、更窄的占空比和精确的死区控制。图1和图2显示了硅(Si) MOSFET和GaN MOSFET的上升和下降时间。

从这两个图可以看出，死区时间被微分了2倍，此时的Si MOSFET变得更慢。此外，GaN MOSFET的上升和下降更加线性。这些特性使得有必要更精细地控制边缘。

GaN可以提高开关频率，而不会对系统产生不利影响。这个优点可以在功率级使用更小的无源元件，实现更快的瞬态响应。然而，为了控制这些更高的频率，控制电路的速度必须更快。例如，采样和转换时间需要足够快，以免限制占空比宽度或相位延迟。此外，下一个控制工作负荷的计算需要足够快，以便不限制切换速度。

对于目前1MHz以上的开关电源，采样和转换需要在几百ns内完成。并且计算延迟必须在相同的范围内。

幸运的是，几年前我们有了一个具有这种功能的数字电源控制器。不是所有的数字电源控制器都能满足这些需求，但至少电源设计人员有一个选择。

那么，GaN可以用于数字电源控制了吗？这个问题的答案比数字电源控制能不能用GaN还要复杂。因此，随着GaN的不断发展和对其在高密度和高性能电源解决方案中的应用的探索，我们不必等到开发出控制器才能利用GaN的优势。那么，“准备好”到底是什么意思：是“现在”。你对这个话题有什么看法？

图1:谐振LLC Si MOSFET的死区时间图LLC GanMOSFET的死区时间其他资源：-LMG5200半桥功率级GanFET模块相对于硅模块的性能优势。-定义GaN可靠性的综合方法。-以GaN的发展前景推动电源解决方案的发展。原文链接：https://e2e.ti.com/blogs _/b/power house/archive/2015/03/20/gan-is-ready-for-digital-power-control。

以上知识分享希望能够帮助到大家！