芯片工艺制成，GaN芯片的制备工艺

很多朋友对芯片工艺制成，GaN芯片的制备工艺不是很了解，每日小编刚好整理了这方面的知识，今天就来带大家一探究竟。

作为第三代半导体的典范，GaN正在被广泛使用，甚至电梯都能看到快充品牌直接用GaN作为广告语。GaN作为激光器或LED可以发出蓝光，也是被广泛研究和量产的产品。GaN器件目前被称为HEMT(高电子迁移率晶体管)。这种具有高电子迁移率的晶体管用于许多电子器件，如全控功率开关、高频放大器或振荡器。本文介绍了氮化镓芯片的制备技术。

GaN通常通过外延技术制备。你可以看看中村修二写的关于GaN外延过程的书。以GaN HEMT工艺为例，工艺的第一步介绍如下：清洗外延GaN需要保证表面的原子清洁度，去除表面的氧化层和污垢。有机物的去除包括：乙酸、丙酮和乙醇。氧化物和非有机物的清洗主要使用氨水、硫化铵和氢氧化钠。

虽然HF和HCL不能完全去除GaN表面的氧化物，但是HCL可以很容易地去除氧化物并减少氧的残留量，HF可以很容易地有效去除碳和碳氢化合物造成的污染。第二步，光刻，类似于常用的光刻技术，省略。第三，蚀刻。干法刻蚀有ICP/RIE/ECR。在量产中，目前普遍采用ICP工艺，一般采用Cl基气体。然而，CH3 H2也可用于蚀刻产物Ga(CH3)3，其具有良好的挥发性和低蚀刻速率。

步骤4，肖特基金属半导体接触在栅极上形成具有整流特性的肖特基接触。在源极和漏极形成欧姆接触。LED和LD产品也形成欧姆接触。肖特基栅的质量是HEMT特性的决定性因素之一，栅漏是低频噪声的主要来源，栅反向击穿电压决定了器件的工作电压和功率裕度。今天到此为止吧。后来谢谢金属层设计和退火，电性能测试等。回顾唐子红

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