mosfet管引脚图，解析MOS管的三个引脚G、S、D都是什么及含义

很多朋友对mosfet管引脚图，解析MOS管的三个引脚G、S、D都是什么及含义不是很了解，每日小编刚好整理了这方面的知识，今天就来带大家一探究竟。

g:gate；S: source来源；d:沥干。n通道电源一般接D，输出S，P通道电源一般接S，输出D，增强型耗尽连接基本相同。这是一个MOS管热释电红外传感器。矩形框是传感窗口，G脚是接地端，D脚是内部MOS管的漏极，S脚是内部MOS管的源极。电路中，G接地，D接电源，红外信号从窗口输入，电信号从s输出

MOS驱动器主要起到波形整形和加强驱动的作用：如果MOS管的G信号波形不够陡，会造成复查开关阶段的大量功率损耗，其副作用是降低电路的转换效率。MOS管发热严重，容易热损坏，MOS管GS之间有一定电容。如果G信号驱动能力不够，会严重影响波形跳变的时间。

将G-S极短路，选择万用表R1档，黑色唱针接S极，红色唱针接D极。电阻应该在几欧姆到十欧姆以上。如果发现一个管脚和它的两个管脚之间的电阻是无穷大，交换探针后还是无穷大，就确认这个管脚是G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。判断源极s、漏极d

将万用表设在R1k档，分别测量三个引脚之间的电阻。用交换笔和表的方法测两次电阻，其中阻值较低的一个(一般几千欧姆到一万欧姆以上)为正向电阻。此时黑笔为S极，红笔接D极。由于测试前提不同，测得的RDS(on)值高于手册中给出的典型值。在MOS管上

晶体管有一个N沟道，所以它被称为N沟道MOS晶体管，或NMOS。还存在P沟道MOS(PMOS)晶体管，它是轻掺杂的N型背栅和P型源极和漏极。

无论N型还是P型MOS管，其工作原理本质上都是一样的。MOS晶体管通过施加到输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS晶体管是压控器件，通过施加在栅极的电压来控制器件的特性，不会出现三极管作为开关时基极电流引起的电荷存储效应，所以在开关应用中MOS晶体管的开关速度要比三极管快。

场效应晶体管这个名字也来自于它的输入端(称为栅极)，通过在绝缘层上投射电场来影响流经晶体管的电流。实际上没有电流流过这个绝缘体，所以场效应管的栅极电流很小。最常见的FET在栅电极下使用一薄层二氧化硅作为绝缘体。

这种晶体管被称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。因为MOS晶体管更小且更节能，所以在许多应用中已经取代了双极晶体管。

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