XM8A01M16V33A在功能上等同于异步SRAM

很多朋友对XM8A01M16V33A在功能上等同于异步SRAM不是很了解，每日小编刚好整理了这方面的知识，今天就来带大家一探究竟。

XRAM 是一种新的内存架构，旨在以具有竞争力的价格提供高密度和高性能RAM。 XRAM 采用先进的DRAM 技术和自刷新架构，显着提高内存密度并简化用户界面。 XRAM是一种基于先进DRAM技术并结合兴艺创新的三态DRAM和免刷新DRAM专利技术的新型存储器件。与传统DRAM芯片和SRAM不同，它具有以下特点： • 同等成本条件下节省30%晶圆面积，晶圆产量预计提高25% • 速度、数据读取延迟达到10ns水平，相比DRAM速度提升10倍• 存储密度，单芯片支持Mbit和Gbit • 功耗，存储阵列损耗降低40% • 无需刷新，简化控制器设计和时序操作，完成随机访问，提高总线利用率• 高可靠性，支持-芯片接口环境温度40~125摄氏度。

XM8A01M16V33A (1M16) 48 引脚TSOP I 引脚排列

XM8A01M16V33A 特性• 异步XRAM 芯片存储器• 高速访问时间• tAA=10/12 纳秒• 低有功功耗• 80 MHz 时ICC=75 mA • 低CMOS 待机电流• ISB2=40 mA（典型值） • 工作电压范围： 2.2 V 至3.6 V • 取消选择时自动断电• TTL 兼容输入和输出• 提供44 引脚TSOP II、48 引脚TSOP I 封装和48 球FBGA 封装StarMemory 专注于XRAM 产品开发和设计，提供高高性能、低延迟、低功耗和免刷新动态随机存取存储器芯片产品。致力于通过创新存储芯片技术的商业化和产业化进程，带动国产存储芯片的底层技术研究和相关科学研究，从而推动国产存储芯片设计前端产业的改革和进一步发展。星美存储代理英商微电子提供驱动、例程等技术支持，以及必要的FAE支持。 yyq

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