分析天平，分析MOS管驱动电流的三个窍门

很多朋友对分析天平，分析MOS管驱动电流的三个窍门不是很了解，每日小编刚好整理了这方面的知识，今天就来带大家一探究竟。

在驱动电路中，需要特别估算MOS管的驱动电流。当然，估算方法不止一种，常用的估算方法有三种。本文将介绍这三种估算方法。并解释每种估算方法。感兴趣的朋友过来看看。第一种公式估算法可以用下面的公式估算：Ig=Qg/Ton，其中：Ton=t3-t0td(on) tr。

TD(on):MOS晶体管的延迟时间，从驱动电压上升到10%的时间到VDS下降到其幅度的90%的时间。Tr:上升时间。输出电压VDS从其幅值的90%下降到10%的时间Qg=(CEI)(VGS)或Qg=Qgs Qgd Qod(可在数据表中找到)第二种：(第一种变型)米勒效应时间(开关时间)ton/off=QGD/ig；ig=[v B- Vgs(th)]/Rg；Ig: mos栅极驱动电流；Vb:稳态栅极驱动电压；第三种：曲线估计法

以一个实际的MOS管为例，可以看到数据手册中有一条TotalGateCharge曲线。曲线首先上升，然后几乎水平，然后再次上升。

水平部分是管道开口(米勒效应)。假设要在0.2us内打开管道，预计总时间(先上升后水平上升)为0.4us，由Qg=67nC和0.4us得出：67NC/0.4 us=0.1675A，当然这是峰值，只有在管道开闭的0.2us内有电流，其他时间都有。

以上知识分享希望能够帮助到大家！